公开(公告)号：CN111584364B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202010095523.4

申请日：2020-02-17

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 仓知俊介 ,  驹谷务

IPC: H10D30/01 ,  H01L21/768 ,  H10D30/47 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与栅极电极相同的层叠构造的第一金属膜；形成与源极电极和第一金属膜接触的第二金属膜；形成从SiC基板的背面到达第一金属膜的孔；及在孔内形成从背面到达第一金属膜的金属通孔。

公开(公告)号：CN111584364A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010095523.4

申请日：2020-02-17

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 仓知俊介 ,  驹谷务

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/768 ,  H01L29/778 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；在氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与栅极电极相同的层叠构造的第一金属膜；形成与源极电极和第一金属膜接触的第二金属膜；形成从SiC基板的背面到达第一金属膜的孔；及在孔内形成从背面到达第一金属膜的金属通孔。