公开(公告)号：CN108461408B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201810150056.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 江森正臣

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明披露了一种形成半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：将含有Ni的第一金属层沉积在基板的背面，镀敷基板的背面，从而使刻线部分中的第一金属层露出，将第三金属层沉积在基板的整个背面，并且选择性地去除刻线部分中的第三金属层，从而将第一金属层留在刻线中。

公开(公告)号：CN117276210A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310279894.1

申请日：2023-03-20

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 堤优也 ,  江森正臣

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供一种即使减小材料成本也能抑制散热性的下降的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；以及第一导电体层，覆盖所述第二主面，包含树枝状晶体，在所述基板形成有贯通所述基板并具有内壁面的过孔，所述第一导电体层覆盖所述内壁面。

公开(公告)号：CN108461408A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810150056.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 江森正臣

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明披露了一种形成半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：将含有Ni的第一金属层沉积在基板的背面，镀敷基板的背面，从而使刻线部分中的第一金属层露出，将第三金属层沉积在基板的整个背面，并且选择性地去除刻线部分中的第三金属层，从而将第一金属层留在刻线中。