公开(公告)号：CN119230548A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410812668.X

申请日：2024-06-22

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 堤优也

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：基板；第一单位FET，设于基板上，具备第一源电极、第一漏电极以及第一栅电极；第二单位FET，相对于第一单位FET设于第一方向上的基板上，具备第二源电极、第二漏电极以及第二栅电极；第一源极布线，在第一方向延伸并且设于第一源电极上，与第一源电极电接触；栅极母线，以在第一方向上使第一栅电极配置于栅极母线与第二栅电极之间的方式设置，并且栅极母线与第一栅电极电连接；以及栅极布线，以与第一源电极非接触的方式设于第一源电极的上方，在第二方向上使第一源极布线配置于栅极布线与第一漏电极之间，栅极布线在第一方向延伸，将栅极母线与第二栅电极电连接。

公开(公告)号：CN118712155A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410349816.9

申请日：2024-03-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 堤优也

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种能小型化的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；第一氮化物半导体层，设于基板之上；第一金属层，设于第一氮化物半导体层之上；第二金属层，设于第一金属层之上；以及第三金属层，设于第二金属层之上，在基板、第一氮化物半导体层以及第一金属层形成有贯通孔，贯通孔贯通基板、第一氮化物半导体层以及第一金属层，供第二金属层露出，第一金属层与第一氮化物半导体层欧姆接触，第二金属层对使用反应性气体的刻蚀的耐性比第一金属层对使用反应性气体的刻蚀的耐性高，第三金属层的电阻率比第一金属层的电阻率和第二金属层的电阻率低，半导体装置具有第四金属层，第四金属层设于贯通孔的内侧，与第二金属层直接接触。

公开(公告)号：CN117276210A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310279894.1

申请日：2023-03-20

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 堤优也 ,  江森正臣

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供一种即使减小材料成本也能抑制散热性的下降的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；以及第一导电体层，覆盖所述第二主面，包含树枝状晶体，在所述基板形成有贯通所述基板并具有内壁面的过孔，所述第一导电体层覆盖所述内壁面。