公开(公告)号：CN110581064B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201910486151.5

申请日：2019-06-05

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN118248654A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311758116.7

申请日：2023-12-20

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供能抑制绝缘层的剥离的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；第一绝缘层，设于所述基板之上；第一金属层，设于所述第一绝缘层之上；第二金属层，设于所述第一金属层之上；以及第二绝缘层，覆盖所述第一金属层和所述第二金属层，所述第一金属层的上表面具有：第一区域，供所述第二金属层接触；以及第二区域，远离所述第二金属层，所述第二绝缘层与所述第一金属层的侧面和所述第二区域以及所述第二金属层的上表面和侧面直接接触，所述第一金属层的宽度在与所述基板平行的方向上大于等于所述第二金属层的宽度。

公开(公告)号：CN114512543A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202111346077.0

申请日：2021-11-15

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 野濑幸则 ,  渡边健一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，具备：半导体层；源电极和漏电极，设于所述半导体层的上表面；栅电极，设于所述半导体层的上表面，位于所述源电极和所述漏电极之间；第一绝缘膜，设于所述栅电极的上方；以及场板，设于所述第一绝缘膜的上方，所述场板的至少一部分重叠在所述栅电极的上方，所述场板具有第一金属层和设于所述第一金属层的上表面的第二金属层，所述第一金属层包含金，所述第二金属层包含钽、钨、钼、铌以及钛中的至少一种。

公开(公告)号：CN113506825A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110631068.X

申请日：2019-06-05

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20

Abstract: 一种半导体装置，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN110581064A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910486151.5

申请日：2019-06-05

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。