公开(公告)号：CN111627997B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202010119402.9

申请日：2020-02-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 秋山千帆子

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/00 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管和半导体器件。场效应晶体管包括：半导体区，其包括在第一方向上并排布置的第一非有源区、有源区和第二非有源区；在有源区上的栅电极、源电极和漏电极；在第一非有源区上的栅极焊盘；栅极保护部，其在半导体区上并与半导体区接触，该栅极保护部与栅极焊盘分开并且位于半导体区的第一非有源区侧上的边缘与栅极焊盘之间；在第二非有源区上的漏极焊盘；漏极保护部，其在半导体区上并且与半导体区相接触，该漏极保护部与漏极焊盘分开并且位于半导体区的第二非有源区侧上的边缘与漏极焊盘之间；以及金属膜，该金属膜被电连接到栅极保护部。

公开(公告)号：CN111627997A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010119402.9

申请日：2020-02-26

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 秋山千帆子

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/00 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管和半导体器件。场效应晶体管包括：半导体区，其包括在第一方向上并排布置的第一非有源区、有源区和第二非有源区；在有源区上的栅电极、源电极和漏电极；在第一非有源区上的栅极焊盘；栅极保护部，其在半导体区上并与半导体区接触，该栅极保护部与栅极焊盘分开并且位于半导体区的第一非有源区侧上的边缘与栅极焊盘之间；在第二非有源区上的漏极焊盘；漏极保护部，其在半导体区上并且与半导体区相接触，该漏极保护部与漏极焊盘分开并且位于半导体区的第二非有源区侧上的边缘与漏极焊盘之间；以及金属膜，该金属膜被电连接到栅极保护部。

公开(公告)号：CN110896099B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201910813404.5

申请日：2019-08-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 秋山千帆子

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底；有源区和围绕有源区的无源区；有源区上的栅电极、漏电极和源电极；包括漏极指和漏极条的漏极互连；以及包括源极指和源极条的源极互连。源极条在第一方向上隔着有源区位于漏极条的相反侧。源电极包括在第一方向上面向漏极条的第一侧和在第一侧的中间的第一凹部。第一方向上的第一凹部的第一深度等于或大于第一方向上的漏极条和第一侧之间的第一间隔。

公开(公告)号：CN110896099A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910813404.5

申请日：2019-08-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 秋山千帆子

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括衬底；有源区和围绕有源区的无源区；有源区上的栅电极、漏电极和源电极；包括漏极指和漏极条的漏极互连；以及包括源极指和源极条的源极互连。源极条在第一方向上隔着有源区位于漏极条的相反侧。源电极包括在第一方向上面向漏极条的第一侧和在第一侧的中间的第一凹部。第一方向上的第一凹部的第一深度等于或大于第一方向上的漏极条和第一侧之间的第一间隔。