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公开(公告)号：CN101151225A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010684.7
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/443 , G02B1/02 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B1/02 , C04B35/443 , C04B35/6455 , C04B41/009 , C04B41/5055 , C04B41/87 , C04B2111/80 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/9607 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明提供一种具有较小偏振性和较高热传导性的低成本尖晶石烧结体。还提供了一种用于发光装置的有用的光透过窗和光透过透镜。为了这样的目的，本发明的尖晶石烧结体在白光下情况下具有300或以上的对比率，其中对比率被定义为通过下述方法获得的比值，即通过将尖晶石烧结体布置在两个偏振方向彼此平行的两个偏振片之间的情况下的光透过量，除以将尖晶石烧结体布置在偏振方向彼此垂直的两个偏振片之间的情况下的光透过量，从而获得该比值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1633709A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02802972.0
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: B22F3/26 , B22F7/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , H01L23/3733 , H01L24/27 , H01L2224/83101 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10T428/12042 , Y10T428/12479 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/1121 , B22F2207/11 , B22F2207/01 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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公开(公告)号：CN101151225B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200680010684.7
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/443 , G02B1/02 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B1/02 , C04B35/443 , C04B35/6455 , C04B41/009 , C04B41/5055 , C04B41/87 , C04B2111/80 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/9607 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明提供一种具有较小偏振性和较高热传导性的低成本尖晶石烧结体。还提供了一种用于发光装置的有用的光透过窗和光透过透镜。为了这样的目的，本发明的尖晶石烧结体在白光下情况下具有300或以上的对比率，其中对比率被定义为通过下述方法获得的比值，即通过将尖晶石烧结体布置在两个偏振方向彼此平行的两个偏振片之间的情况下的光透过量，除以将尖晶石烧结体布置在偏振方向彼此垂直的两个偏振片之间的情况下的光透过量，从而获得该比值。
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公开(公告)号：CN100524709C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710091457.8
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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公开(公告)号：CN100353536C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN02802972.0
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/36
CPC classification number: B22F3/26 , B22F7/08 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , H01L23/3733 , H01L24/27 , H01L2224/83101 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10T428/12042 , Y10T428/12479 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/1121 , B22F2207/11 , B22F2207/01 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜-钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95%时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5%时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt%可使其导热系数为210W/m.K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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公开(公告)号：CN101026137A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710091457.8
申请日：2002-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体散热衬底，其是用铜－钨合金制成的，该合金是其孔内渗入铜的钨多孔体，累积比表面积为95％时的钨多孔体的孔径是0.3μm或更大，比表面积为5％时的钨多孔体的孔径是30μm或更小，通过将铁族金属含量降至低于0.02wt％可使其导热系数为210W/m·K或更大。同样，利用多轴压力机改变渗入模制品中的铜量以改变中心部分和外缘部分中的孔隙量，可以在不使用粘结剂的条件下低成本地提供用不同材料制成中心部分和外缘部分的半导体散热衬底。
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