公开(公告)号：CN88102025A

公开(公告)日：1988-10-26

申请号：CN88102025

申请日：1988-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤田顺彦 ,  藤森直治 ,  系崎秀夫 ,  田中三郎 ,  原田敬三 ,  上代哲治

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/12

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明是关于一种超导薄膜的制作方法。其特征是将含有从钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)组成的一组元素中选择的一种元素M、钡和铜氧化物的混合物或者复合氧化物作为靶进行物理蒸镀，形成钙钛矿型或准钙钛矿型的氧化物薄膜，上述靶可由预烧结材料制成，物理蒸镀可用高频溅射技术进行。对形成的薄膜，可以进一步在250—1700℃，最好在250～1200℃的温度范围内进行热处理。

公开(公告)号：CN1035087C

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN88103912

申请日：1988-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤田顺彦 ,  系崎秀夫 ,  田中三郎 ,  藤森直治 ,  今井贵浩 ,  原田敬三 ,  藤田典之 ,  高野悟 ,  宫崎健史 ,  林器 ,  矢津修示 ,  上代哲司

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/249 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2464

Abstract: 一种制作超导电路图形的方法，其特征在于下列步骤：在基片上淀积开始不显示超导性的复合氧化物材料的薄膜层；向该层所需部位照射聚焦离子束使被照射的部位转变为超导体；在氧离子注入前、中、后对复合氧化物材料进行热处理。所述离子束选自氧离子束、惰性气体离子束以及它们的混合体。所述复合氧化物的结构式为(α1-xβx)CuyOz或D4(E1-q，Cαq)mCunOp+r，其中，α，β分别为IIα或IIIα族元素，而D为Bi或Tl，D为Bi时E为Sr，D为Tl时E为Ba。

公开(公告)号：CN1024966C

公开(公告)日：1994-06-08

申请号：CN88102025

申请日：1988-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤田顺彦 ,  藤森直治 ,  系崎秀夫 ,  田中三郎 ,  原田敬三 ,  上代哲治

IPC: H01B12/06 ,  H01L39/12

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明是关于一种超导薄膜的制作方法。其特征是将含有从钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)组成的一组元素中选择的一种元素M、钡和铜氧化物的混合物或者复合氧化物作为靶进行物理汽相淀积，形成钙钛矿型或类钙钛矿型的氧化物薄膜。上述靶可由预烧结材料制成，物理汽相淀积可用高频溅射技术进行。对形成的薄膜，可以进一步在250-1700℃，最好在250-1200℃的温度范围内进行热处理。