公开(公告)号：CN1035087C

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN88103912

申请日：1988-05-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤田顺彦 ,  系崎秀夫 ,  田中三郎 ,  藤森直治 ,  今井贵浩 ,  原田敬三 ,  藤田典之 ,  高野悟 ,  宫崎健史 ,  林器 ,  矢津修示 ,  上代哲司

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/249 ,  H01L39/2435 ,  H01L39/2464

Abstract: 一种制作超导电路图形的方法，其特征在于下列步骤：在基片上淀积开始不显示超导性的复合氧化物材料的薄膜层；向该层所需部位照射聚焦离子束使被照射的部位转变为超导体；在氧离子注入前、中、后对复合氧化物材料进行热处理。所述离子束选自氧离子束、惰性气体离子束以及它们的混合体。所述复合氧化物的结构式为(α1-xβx)CuyOz或D4(E1-q，Cαq)mCunOp+r，其中，α，β分别为IIα或IIIα族元素，而D为Bi或Tl，D为Bi时E为Sr，D为Tl时E为Ba。