离子注入装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111725043B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202010173407.X

    申请日:2020-03-13

    Abstract: 本发明的课题在于抑制装置外的中子剂量率。离子注入装置(100)具备装置主体(58)及至少局部包围装置主体(58)的框体(60)。装置主体(58)包括沿着传输离子束的射束线(BL)配置的多个单元(12、14、16、18)及配置在射束线(BL)的最下游的基板传送处理单元(20),并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源。离子注入装置(100)还具备中子射线散射部件,该中子射线散射部件配置在从中子射线产生源到框体(60)的距离成为规定以下的方向上从中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。

    离子注入装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111725043A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010173407.X

    申请日:2020-03-13

    Abstract: 本发明的课题在于抑制装置外的中子剂量率。离子注入装置(100)具备装置主体(58)及至少局部包围装置主体(58)的框体(60)。装置主体(58)包括沿着传输离子束的射束线(BL)配置的多个单元(12、14、16、18)及配置在射束线(BL)的最下游的基板传送处理单元(20),并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源。离子注入装置(100)还具备中子射线散射部件,该中子射线散射部件配置在从中子射线产生源到框体(60)的距离成为规定以下的方向上从中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。

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