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公开(公告)号:CN111725043A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010173407.X
申请日:2020-03-13
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147
Abstract: 本发明的课题在于抑制装置外的中子剂量率。离子注入装置(100)具备装置主体(58)及至少局部包围装置主体(58)的框体(60)。装置主体(58)包括沿着传输离子束的射束线(BL)配置的多个单元(12、14、16、18)及配置在射束线(BL)的最下游的基板传送处理单元(20),并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源。离子注入装置(100)还具备中子射线散射部件,该中子射线散射部件配置在从中子射线产生源到框体(60)的距离成为规定以下的方向上从中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。
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公开(公告)号:CN111383878A
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201911265315.8
申请日:2019-12-11
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor: 松下浩
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及离子注入装置及测定装置,防止产生二次电子引起的计测精度下降。离子注入装置具备测定照射于晶圆的离子束的角度分布的测定装置(62)。测定装置(62)具备:狭缝(66),入射有离子束;中央电极体(70),具有配置于从狭缝(66)向成为离子束的基准的射束行进方向延伸的中心线(C)上的射束测定面(74);多个侧面电极体(80a~80f),配置于狭缝(66)与中央电极体(70)之间,且分别具有在狭缝(66)的狭缝宽度方向上远离中心线(C)配置的射束测定面(78a~78f);及磁铁装置(90),对多个侧面电极体(80a~80f)中的至少一个射束测定面施加绕狭缝(66)的狭缝长度方向的轴弯曲的磁场。
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公开(公告)号:CN113658842A
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202110901135.5
申请日:2018-05-29
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/302 , H01J37/147
Abstract: 本发明涉及离子注入装置以及离子束被照射体,应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备:离子源,构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束;射束线,构成为支承由包含与第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体(70);及控制装置(50),构成为运算通过第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。
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公开(公告)号:CN108987226B
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN201810529973.2
申请日:2018-05-29
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor: 松下浩
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明的课题在于提供一种离子注入装置,应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备:离子源,构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束;射束线,构成为支承离子束被照射体;控制装置(50),构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。
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公开(公告)号:CN111725042A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010173268.0
申请日:2020-03-13
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor: 松下浩
IPC: H01J37/244 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明的课题在于以低成本适当地监控中子射线的产生状况。离子注入装置(100)具备:多个装置,沿着传输离子束的射束线(BL)配置;多个中子射线测定器(51、52、53、54),配置于射束线的附近的多个位置,并测定由于高能量的离子束的碰撞而可能在射束线的多个部位产生的中子射线;及控制装置,根据多个中子射线测定器(51~54)中的至少一个中子射线测定器的测定值来监控多个装置中的至少一个。
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公开(公告)号:CN108987226A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201810529973.2
申请日:2018-05-29
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor: 松下浩
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明的课题在于提供一种离子注入装置,应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备:离子源,构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束;射束线,构成为支承离子束被照射体;控制装置(50),构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。
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公开(公告)号:CN113658842B
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202110901135.5
申请日:2018-05-29
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/302 , H01J37/147
Abstract: 本发明涉及离子注入装置以及离子束被照射体,应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备:离子源,构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束;射束线,构成为支承由包含与第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体(70);及控制装置(50),构成为运算通过第1非放射性核种与第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。
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公开(公告)号:CN111383878B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN201911265315.8
申请日:2019-12-11
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor: 松下浩
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及离子注入装置及测定装置,防止产生二次电子引起的计测精度下降。离子注入装置具备测定照射于晶圆的离子束的角度分布的测定装置(62)。测定装置(62)具备:狭缝(66),入射有离子束;中央电极体(70),具有配置于从狭缝(66)向成为离子束的基准的射束行进方向延伸的中心线(C)上的射束测定面(74);多个侧面电极体(80a~80f),配置于狭缝(66)与中央电极体(70)之间,且分别具有在狭缝(66)的狭缝宽度方向上远离中心线(C)配置的射束测定面(78a~78f);及磁铁装置(90),对多个侧面电极体(80a~80f)中的至少一个射束测定面施加绕狭缝(66)的狭缝长度方向的轴弯曲的磁场。
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公开(公告)号:CN118891696A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202380027612.7
申请日:2023-02-13
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
IPC: H01J37/317 , H01J37/147 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及离子注入方法及离子注入装置,离子注入方法包括如下步骤:获取在沿着离子注入装置内的射束线传输包括高能量的第1离子种类的第1离子束时在离子注入装置内的规定位置测定的中子剂量率的测定值;判定测定值是否超过规定的阈值;在测定值超过规定的阈值的情况下,沿着射束线传输包括质量数大于第1离子种类的第2离子种类的第2离子束;及在传输第2离子束之后,将第1离子束沿着射束线传输并照射到晶片。
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公开(公告)号:CN111725042B
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202010173268.0
申请日:2020-03-13
Applicant: 住友重机械离子科技株式会社
Inventor: 松下浩
IPC: H01J37/244 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明的课题在于以低成本适当地监控中子射线的产生状况。离子注入装置(100)具备:多个装置,沿着传输离子束的射束线(BL)配置;多个中子射线测定器(51、52、53、54),配置于射束线的附近的多个位置,并测定由于高能量的离子束的碰撞而可能在射束线的多个部位产生的中子射线;及控制装置,根据多个中子射线测定器(51~54)中的至少一个中子射线测定器的测定值来监控多个装置中的至少一个。
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