公开(公告)号：CN112786419B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202011143127.0

申请日：2020-10-23

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： D·E·波特金斯 ,  P·T·雅克勒

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种离子注入装置及射束分析仪，能够精确地测定离子束的射束电流分布。射束分析仪(50)具备：孔隙阵列，具有第1孔隙(111)和第2孔隙(112)；杯电极阵列(120)，相对于孔隙阵列固定地配置；及多个磁铁(140)。从离子束的行进方向观察时，第2孔隙具有与第1孔隙不同的形状。杯电极阵列具备：第1杯电极(121)，配置成第1射束部分(IB1)从第1孔隙通过第1空腔(131)入射；及第2杯电极(122)，配置成第2射束部分(IB2)从第2孔隙通过第2空腔(132)入射。多个磁铁沿着与离子束的行进方向正交的平面的面内方向对第1空腔和第2空腔施加磁场。

公开(公告)号：CN112349574B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202010715921.1

申请日：2020-07-23

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 石桥和久

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/317

Abstract: 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置在获取了晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将二维不均匀剂量分布的所述目标值与多个聚合函数建立对应关联的相关信息。控制装置计算出模拟了基于多个聚合函数及相关信息的离子注入时的晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的推断值，并修正多个聚合函数，以使推断值与目标值相似，由此生成多个校正函数。控制装置根据多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。

公开(公告)号：CN108538691B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201810181615.7

申请日：2018-03-06

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 川口宏

IPC: H01J27/16 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明提供一种有助于提高离子照射装置的生产率的离子生成装置。离子生成装置(12)具备：电弧室(30)，内部具有等离子体生成区域；阴极(52)，朝向等离子体生成区域放出热电子；反射极(34)，隔着等离子体生成区域与阴极(52)轴向对置；以及屏蔽罩(72)，在电弧室(30)的内面与等离子体生成区域之间的位置，以部分包围等离子体生成区域的方式配置。

公开(公告)号：CN108505009B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201810163692.X

申请日：2018-02-27

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 佐佐木玄 ,  藤田胜士

IPC: C23C14/48 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种离子注入装置。其课题在于提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。离子注入装置(100)具备：离子源(10)，能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束；上游射束线(102)，包括质谱分析磁铁(22a)和高能量多级直线加速单元(14)；能量分析磁铁(24)；射束能量测定装置(200)，在能量分析磁铁(24)的下游测定校正用离子束的能量；及校正序列部，制作表示已知的能量与通过射束能量测定装置(200)测定出的校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表。上游射束线压力在离子注入处理期间被调整为第1压力，在制作能量校正表的期间被调整为高于第1压力的第2压力。

公开(公告)号：CN111725043A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010173407.X

申请日：2020-03-13

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 松下浩 ,  大西亮太

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/147

Abstract: 本发明的课题在于抑制装置外的中子剂量率。离子注入装置(100)具备装置主体(58)及至少局部包围装置主体(58)的框体(60)。装置主体(58)包括沿着传输离子束的射束线(BL)配置的多个单元(12、14、16、18)及配置在射束线(BL)的最下游的基板传送处理单元(20)，并且具有由于高能量的离子束的碰撞而可能产生中子射线的中子射线产生源。离子注入装置(100)还具备中子射线散射部件，该中子射线散射部件配置在从中子射线产生源到框体(60)的距离成为规定以下的方向上从中子射线产生源射出的中子射线可能射入的位置。

公开(公告)号：CN111383878A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911265315.8

申请日：2019-12-11

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 松下浩

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及离子注入装置及测定装置，防止产生二次电子引起的计测精度下降。离子注入装置具备测定照射于晶圆的离子束的角度分布的测定装置(62)。测定装置(62)具备：狭缝(66)，入射有离子束；中央电极体(70)，具有配置于从狭缝(66)向成为离子束的基准的射束行进方向延伸的中心线(C)上的射束测定面(74)；多个侧面电极体(80a～80f)，配置于狭缝(66)与中央电极体(70)之间，且分别具有在狭缝(66)的狭缝宽度方向上远离中心线(C)配置的射束测定面(78a～78f)；及磁铁装置(90)，对多个侧面电极体(80a～80f)中的至少一个射束测定面施加绕狭缝(66)的狭缝长度方向的轴弯曲的磁场。

公开(公告)号：CN111180301A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910981615.X

申请日：2019-10-16

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 八木田贵典

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/147

Abstract: 本发明抑制光束驻留装置中的粒子的飞散。本发明的光束驻留装置(24)具备：一对驻留电极(25a、25b)，隔着光束线路(A)而对置；及光束阻尼器，在比一对驻留电极(25a、25b)更靠光束线路(A)的下游侧在一对驻留电极(25a、25b)的对置方向上离开光束线路(A)而设置。一对驻留电极(25a、25b)中的至少一个包含在与光束线路(A)所延伸的方向及对置方向这两个方向均正交的规定方向上隔开间隔而配置的多个电极体(73a～73f)。多个电极体(73a～73f)分别从光束线路的上游侧朝向下游侧延伸。

公开(公告)号：CN108573843A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810187130.9

申请日：2018-03-07

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 川口宏 ,  石田勇二

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32366 ,  H01J2237/038 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明提供一种能够抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的绝缘结构。在将设置于离子注入装置的真空区域内部的电极与其他部件绝缘并支承该电极的绝缘结构中，第1绝缘部件(32)支承电极。第2绝缘部件(34)为了减少污染粒子(18)向第1绝缘部件(32)的附着而嵌合于第1绝缘部件(32)。第2绝缘部件(34)由硬度比第1绝缘部件(32)低的材料形成。第2绝缘部件(34)的外表面的维氏硬度为5GPa以下。第2绝缘部件(34)的弯曲强度为100MPa以下。第2绝缘部件(34)由包含氮化硼、多孔陶瓷及树脂中的至少一种的材料形成。

公开(公告)号：CN108281341A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810010055.9

申请日：2018-01-05

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 佐佐木玄

IPC: H01J37/317

Abstract: 离子注入方法以及离子注入装置，以高精度迅速调整线性加速器的透镜参数。离子注入装置具备：多级线性加速单元(110)，包含多级高频谐振器和多级收敛透镜；第1射束测量部(160)，设置于多级线性加速单元(110)的中途，构成为使射束轨道(Z)的中心附近的射束部分通过，另一方面测量在射束轨道(Z)的中心附近的外侧被电极体(164)屏蔽的其他射束部分的电流量；第2射束测量部(170)，设置于多级线性加速单元(110)的下游，构成为测量从多级线性加速单元(110)射出的离子束的电流量；以及控制装置，构成为根据第1射束测量部(160)以及第2射束测量部(170)的测量结果调整多级收敛透镜的控制参数。

公开(公告)号：CN108091534A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201710945609.X

申请日：2017-10-12

Applicant: 住友重机械离子科技株式会社

Inventor： 狩谷宏行 ,  森川英喜 ,  石川雅基

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置。本发明的课题在于以高精确度迅速调整离子束的能量。所述离子注入方法具备以下步骤：测定从根据暂定的高频参数进行动作的高能量多级线性加速单元输出的离子束的射束能量的步骤；基于测定出的射束能量调整高频参数的值的步骤；及使用从根据经调整的高频参数进行动作的高能量多级线性加速单元输出的离子束来进行离子注入的步骤。暂定的高频参数对至少包含最终级的一部分级的高频谐振器赋予与赋予设计上的最大加速的高频参数的值不同的值。调整步骤包括变更对至少包括最终级的一部分级的高频谐振器设定的电压振幅及相位中的至少一方的步骤。