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公开(公告)号：CN105339832A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036998.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: G02F1/093 , G02B27/286 , G02F2203/06
Abstract: 本发明的课题是提供一种可实现法拉第元件和磁铁的小型化的偏振无关型光隔离器。本发明的解决方案是提供一种偏振无关型光隔离器，具有设置于光路上的一对楔型双折射结晶板1、2和设置于所述楔型双折射结晶板之间的光路上的顺磁体所形成的法拉第元件30，一对楔型双折射结晶板中的倾斜光透过面之间和非倾斜光透过面之间相互平行，各非倾斜光透过面朝向法拉第元件一侧配置，其特征在于，法拉第元件是由具有平行四边形状的截面的顺磁体构成且所述顺磁体的光出入射面是非平行于所述一对楔型双折射结晶板中的非倾斜光透过面，并且以光路中心轴为基准，各楔型双折射结晶板的直角部100与法拉第元件的钝角部31配置于同一侧。
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公开(公告)号：CN103228826B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180056450.7
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其特征在于，以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示，其中，x和y是0.89≤x≤1.43、0.85≤y≤1.19。以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示的本发明的RIG与以往的RIG相比，其插入损耗低于0.6dB并且能够减少因波长1μm左右的光吸收引起的发热量，因此，具有能够应用于加工用高功率激光装置的光隔离器用法拉第旋转器的显著效果。
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公开(公告)号：CN103221585B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180056431.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的晶体膜，其特征在于，以化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12（其中，0＜x＜3，0＜y＜3）表示，并且，La、Gd、Bi的组成比在La-Gd-Bi三元系组成图上具有相当于以组成点A、组成点B、组成点C、组成点D作为顶点的四角形内部的数值范围。其中，组成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、组成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、组成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、组成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103228826A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056450.7
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜，其特征在于，以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示，其中，x和y是0.89≤x≤1.43、0.85≤y≤1.19。以化学式Nd3-x-yGdxBiyFe5O12表示的本发明的RIG与以往的RIG相比，其插入损耗低于0.6dB并且能够减少因波长1μm左右的光吸收引起的发热量，因此，具有能够应用于加工用高功率激光装置的光隔离器用法拉第旋转器的显著效果。
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公开(公告)号：CN101546051B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910128025.9
申请日：2009-03-17
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G02F1/093
Abstract: 本发明的法拉第旋转器，其特征在于，磁铁体由第一磁铁(1)、第二磁铁(2)以及第三磁铁(3)构成，其中，上述第一磁铁(1)在与光轴垂直且朝光轴的方向上磁化，上述第二磁铁(2)在与光轴垂直且远离光轴的方向上磁化，上述第三磁铁(3)配置在上述两磁铁之间，在与光轴平行从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化，在这些磁铁的各中心设置有用于配置上述磁铁体的贯通孔(孔部)，并且当设第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度相同，均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述关系式的关系成立，即，L2/10≤L3≤L2。
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公开(公告)号：CN105556376A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480048140.4
申请日：2014-07-22
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中村宣夫
CPC classification number: G02F1/093 , G02B27/286 , G02F1/0036 , G02F1/0102 , G02F1/09
Abstract: 本发明的课题是提供一种法拉第旋转器，其即使相对于波长为1.1μm以下、并且输出为1W以上的高输出激光进行使用，也难以引起光隔离中的隔离功能的劣化，并且生产性优良。本发明的解决手段是提供一种法拉第旋转器，其特征在于，由非磁性石榴石基板4、在非磁性石榴石基板的两面采用液相外延法生长的铋置换型稀土类铁石榴石膜1、以及在铋置换型稀土类铁石榴石膜的各表面粘合的放热用蓝宝石晶体基板2构成，铋置换型稀土类铁石榴石膜相对于波长为1.06μm的光的吸收系数为9cm-1以下，并且在非磁性石榴石基板的两面生长的上述铋置换型稀土类铁石榴膜中的膜厚的差为10μm以下。
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公开(公告)号：CN103221585A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056431.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种插入损耗低于0.6dB、且能够以高收率制造的铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜（RIG）和光隔离器。所述铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜是通过液相外延生长法在以化学式Gd3(ScGa)5O12表示的非磁性石榴石基板上生长的晶体膜，其特征在于，以化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12（其中，0＜x＜3，0＜y＜3）表示，并且，La、Gd、Bi的组成比在La-Gd-Bi三元系组成图上具有相当于以组成点A、组成点B、组成点C、组成点D作为顶点的四角形内部的数值范围。其中，组成点A（La/0.15，Gd/1.66，Bi/1.19）、组成点B（La/0.32，Gd/1.88，Bi/0.80）、组成点C（La/0.52，Gd/1.68，Bi/0.80）、组成点D（La/0.35，Gd/1.46，Bi/1.19）。
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公开(公告)号：CN101546051A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910128025.9
申请日：2009-03-17
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: G02F1/09
CPC classification number: G02F1/093
Abstract: 本发明的法拉第旋转器，其特征在于，磁铁体由第一磁铁(1)、第二磁铁(2)以及第三磁铁(3)构成，其中，上述第一磁铁(1)在与光轴垂直且朝光轴的方向上磁化，上述第二磁铁(2)在与光轴垂直且远离光轴的方向上磁化，上述第三磁铁(3)配置在上述两磁铁之间，在与光轴平行从第二磁铁向第一磁铁的方向上磁化，在这些磁铁的各中心设置有用于配置上述磁铁体的贯通孔(孔部)，并且当设第一磁铁和第二磁铁的光轴方向的长度相同，均为L2，第三磁铁的光轴方向的长度为L3时，下述关系式的关系成立，即，L2/10≤L3≤L2。
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