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公开(公告)号：CN114335303B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202111677526.X
申请日：2021-12-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/56 , H01L25/075 , H01L21/78
摘要： 本发明提供了一种发光器件及其加工方法，该器件包括子电路板、芯片组、子封装层、子侧防硫化膜、子挡墙和子顶防硫化膜；芯片组包括若干个芯片，若干个芯片分别键合在子电路板上并基于子封装层封装；子封装层的底面轮廓位于子电路板的边缘轮廓的包围区域内；子侧防硫化膜覆盖在子封装层的外侧面，且子侧防硫化膜自子封装层的外侧面底部朝子电路板的边缘延伸并覆盖在子电路板的顶面上；子挡墙包围在子侧防硫化膜的外侧面上；子顶防硫化膜覆盖在子封装层的顶面、子侧防硫化膜的顶面和子挡墙的顶面上。该发光器件通过特殊的加工工艺得到具有特定结构防硫化层的器件，通过防硫化层的设置可很好的避免器件的粘连问题和硫化问题。
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公开(公告)号：CN116072759A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211605200.0
申请日：2022-12-14
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0203
摘要： 本发明涉及一种光电器件的制造方法。该制造方法包括以下工序：S1：制作包含多个器件单元的整板线路板；S2：在器件单元的第一焊盘上安装芯片，并将芯片与第二焊盘电连接，从而得到带芯片的整板线路板；S3：对带芯片的整板线路板进行封装，得到整板光电器件；S4：将整板光电器件切割为单个光电器件。本发明的光电器件的制造方法能够解决尺寸大且薄的光电器件在制造过程中基板发生变形、芯片脱落破裂的问题，从而提高良品率。
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公开(公告)号：CN118738234A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410854517.0
申请日：2024-06-27
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62 , H01L25/075
摘要： 本发明公开一种LED器件固晶方法及LED器件，其中固晶方法包括以下步骤：S100、提供基板和LED芯片，在基板上成型焊盘，焊盘用以放置LED芯片；S200、根据LED芯片的尺寸选择点胶头，点胶头上设置有矩阵排列的n排m列的点胶针；点胶头粘胶后先在焊盘上点胶形成一个导电胶组；S300、定位出导电胶组的其中一对角线，以此对角线为设定直线，以导电胶组在对角线的第一个导电胶部为定位点，沿设定直线的延伸方向由定位点偏移设定距离后的位置为起点点胶形成另一个导电胶组；S400、当导电胶组的数量大于2时，重复S300，直至所有的导电胶组沿设定直线间隔点胶成型形成固晶件；S500、将LED芯片放置在固晶件上固化。本发明的LED器件固晶方法固晶稳定高，可有效防止爬浆高度过高。
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公开(公告)号：CN114335309B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111442610.3
申请日：2021-11-30
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种LED器件，该LED器件包括支架、LED芯片和键合线；支架包括绝缘基板和设置在绝缘基板上相互绝缘的第一电极和第二电极，LED芯片具有两个芯片电极，至少一个芯片电极通过键合线与对应的第一电极或第二电极电连接，键合线包括竖直段、至少一个缓冲段和至少一个连接段，竖直段的首端与芯片电极连接，竖直段的末端与缓冲段的首端连接，缓冲段的末端与连接段的首端连接，连接段的末端与第一电极或第二电极连接。本发明实施例提供的技术方案通过缓冲段形成缓冲平台，能够避免连接段与LED芯片触碰，有利于降低LED芯片漏电的风险，且能够减小键合线与焊点的焊接处的角度，减小键合线与焊点的连接位置断裂的风险。
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公开(公告)号：CN114335309A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111442610.3
申请日：2021-11-30
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种LED器件，该LED器件包括支架、LED芯片和键合线；支架包括绝缘基板和设置在绝缘基板上相互绝缘的第一电极和第二电极，LED芯片具有两个芯片电极，至少一个芯片电极通过键合线与对应的第一电极或第二电极电连接，键合线包括竖直段、至少一个缓冲段和至少一个连接段，竖直段的首端与芯片电极连接，竖直段的末端与缓冲段的首端连接，缓冲段的末端与连接段的首端连接，连接段的末端与第一电极或第二电极连接。本发明实施例提供的技术方案通过缓冲段形成缓冲平台，能够避免连接段与LED芯片触碰，有利于降低LED芯片漏电的风险，且能够减小键合线与焊点的焊接处的角度，减小键合线与焊点的连接位置断裂的风险。
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公开(公告)号：CN114335301B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111677433.7
申请日：2021-12-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/54 , H01L25/075 , B24B53/017 , B24B37/04
摘要： 本发明提供了一种器件加工方法，该器件加工方法包括：固晶、封装材料封装、一次划片、挡墙材料封装、研磨和二次划片；在研磨步骤中，将所述半成品置于研磨固定平台上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的高度为基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度。该器件加工方法在器件的制作过程中，通过研磨工艺以降低器件的顶面出现白胶的概率，保证了器件的生产良率。
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公开(公告)号：CN118053945A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410116555.6
申请日：2024-01-26
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED器件的制备方法及LED器件。所述LED器件的制备方法，包括以下步骤：S1、将LED芯片放置在基板正面的芯片区，所述芯片区为至少一个；S2、将膜片放置在所述LED芯片的发光区；S3、在每个所述芯片区的膜片表面贴一张薄膜；S4、模压白墙胶，使得所述白墙胶包裹所述LED芯片并与所述基板的正面贴合；S5、去除所述薄膜。与现有技术相比，本申请先在膜片表面贴薄膜，然后模压白墙胶，最后将薄膜去除，从而无需对膜片进行研磨、抛光，避免了研磨、抛光对膜片的损伤，不会出现白墙胶与膜片结合处的分离现象。
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公开(公告)号：CN114335303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111677526.X
申请日：2021-12-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/56 , H01L25/075 , H01L21/78
摘要： 本发明提供了一种器件及其加工方法，该器件包括子电路板、芯片组、子封装层、子侧防硫化膜、子挡墙和子顶防硫化膜；芯片组包括若干个芯片，若干个芯片分别键合在子电路板上并基于子封装层封装；子封装层的底面轮廓位于子电路板的边缘轮廓的包围区域内；子侧防硫化膜覆盖在子封装层的外侧面，且子侧防硫化膜自子封装层的外侧面底部朝子电路板的边缘延伸并覆盖在子电路板的顶面上；子挡墙包围在子侧防硫化膜的外侧面上；子顶防硫化膜覆盖在子封装层的顶面、子侧防硫化膜的顶面和子挡墙的顶面上。该器件通过特殊的加工工艺得到具有特定结构防硫化层的器件，通过防硫化层的设置可很好的避免器件的粘连问题和硫化问题。
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公开(公告)号：CN114335301A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111677433.7
申请日：2021-12-31
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/54 , H01L25/075 , B24B53/017 , B24B37/04
摘要： 本发明提供了一种器件加工方法及器件，该器件加工方法包括：固晶、封装材料封装、一次划片、挡墙材料封装、研磨和二次划片；在研磨步骤中，将所述半成品置于研磨固定平台上，控制研磨设备的研磨工作端作业，以所述研磨固定平台的高度为基准，所述研磨工作端自所述半成品的上方朝所述研磨固定平台研磨并运行至预设高度。该器件加工方法在器件的制作过程中，通过研磨工艺以降低器件的顶面出现白胶的概率，保证了器件的生产良率。
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公开(公告)号：CN117976782A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410116364.X
申请日：2024-01-26
申请人： 佛山市国星光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种LED器件的制备方法及LED器件。所述LED器件的制备方法，包括以下步骤：S1、在基板的焊盘上共晶LED芯片，将膜片放置在所述LED芯片的发光区；S2、将离型膜吸附在模压设备的上模芯；S3、将所述基板放置在下模芯；S4、将所述上模芯和下模芯合模，所述离型膜覆盖所述膜片的表面，塑封白墙胶。与现有技术相比，本申请先在上模芯吸附离型膜，然后模压白墙胶，能够避免塑封时白墙胶覆盖膜片的上表面，从而无需对膜片进行研磨、抛光，避免了研磨、抛光对膜片的损伤，不会出现白墙胶与膜片结合处的分离现象。
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