公开(公告)号：CN87107592A

公开(公告)日：1988-10-12

申请号：CN87107592

申请日：1987-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 斋藤惠志 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/14 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L21/324 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1105 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种改进的半导体器件，诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的。即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。

公开(公告)号：CN1194422C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN96122801.6

申请日：1996-09-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史 ,  斋藤惠志

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/206 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 制造光电器件的方法，该光电器件包括：由衬底，反射层和反射增强层构成的底座部分；用非单晶层作为晶体结构并包含硅原子的n型，i型和p型半导体层形成的pin结构，该结构在底座上至少重复一次，该方法包括：(a)淀积构成反射层的材料，在200-500度的衬底温度下形成反射层；(b)步骤(a)后，将衬底温度降低至100度或更低；(c)步骤(b)后，在反射层上淀积构成反射增强层的材料，在200-400度的衬底温度下形成反射增强层。

公开(公告)号：CN1154003A

公开(公告)日：1997-07-09

申请号：CN96122801.6

申请日：1996-09-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史 ,  斋藤惠志

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/206 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 制造光电器件的方法，该光电器件包括：由衬底、反射层和反射增强层构成的底座部分；用非单晶层作为晶体结构并包含硅原子的n型，i型和p型半导体层形成的pin结构，该结构在底座上至少重复一次，该方法包括：(a)淀积构成反射层的材料，在200-500度的衬底温度下形成反射层；(b)步骤(a)后，将衬底温度降低至100度或更低；(c)步骤(b)后，在反射层上淀积构成反射增强层的材料，在200-400度的衬底温度下形成反射增强层。

公开(公告)号：CN1009688B

公开(公告)日：1990-09-19

申请号：CN87107592

申请日：1987-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 斋藤惠志 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/14 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L21/324 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1105 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种改进的半导体器件，诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的。即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。