公开(公告)号：CN118237241A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311748207.2

申请日：2023-12-19

申请人： 佳能株式会社

发明人： 若林聪 ,  二木元 ,  寺本洋二 ,  岸本克史

IPC分类号： B05D3/04 ,  H01L21/67 ,  H10K71/00 ,  H10K50/10

摘要： 本发明提供降低配置在基板之上的溶液的干燥速度的偏差且提高干燥速度的基板处理装置和物品的制造方法。基板处理装置具备：气密容器；减压机构，对所述气密容器的内部进行减压；基板保持部，配置于所述气密容器的内部，且能够保持基板；以及旋转构件，在所述气密容器的内部配置于与保持于所述基板保持部的所述基板相向的位置，且能够相对于所述基板保持部旋转。

公开(公告)号：CN118237242A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311748470.1

申请日：2023-12-19

申请人： 佳能株式会社

发明人： 寺本洋二 ,  村上泰夫 ,  若林聪 ,  二木元 ,  滨口航平 ,  岸本克史

IPC分类号： B05D3/04 ,  H01L21/67 ,  H10K71/00 ,  H10K50/10

摘要： 本发明提供基板处理装置以及物品制造方法，减少配置在基板上的溶液的干燥速度的不均。基板处理装置具备：气密容器；对上述气密容器的内部进行减压的减压机构；配置在上述气密容器的内部并能保持基板的基板保持部；以及在上述气密容器的内部配置在与上述基板保持部所保持的上述基板的侧面相向的位置的壁构件。上述壁构件具有与上述基板的侧面相向的那侧的壁面。上述壁构件在上述壁面的至少一部分具有第1防液构件。

公开(公告)号：CN116666261A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310140960.7

申请日：2023-02-16

申请人： 佳能株式会社

发明人： 西川原朋史 ,  二木元 ,  村上泰夫 ,  寺本洋二 ,  若林聪 ,  滨口航平 ,  柏野道明 ,  岸本克史

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及物品的制造方法。基板处理装置的特征在于通过如下干燥工序使基板上的膜进行干燥，干燥工序包括：第一干燥工序，使基板上的膜在比既定压力高的压力下进行干燥；第二干燥工序，使膜在比既定压力低的压力下进行干燥，基板处理装置具有：保持基板的基板保持部；腔室；对腔室的内部进行减压的减压机构；罩盖，其设置有开口，并且在腔室的内部中覆盖被基板保持部保持的基板；第一供给部，其向腔室的内部且为罩盖的外部即第一空间供给气体；第二供给部，其向腔室的内部且为罩盖的内部即第二空间供给气体，第一供给部在第一干燥工序中向第一空间供给气体，第二供给部在第二干燥工序中向第二空间供给气体。