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公开(公告)号：CN115527931A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210707666.5
申请日：2022-06-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了半导体设备和制造半导体设备的方法。所公开的制造半导体设备的方法包括将接合基板分割成多个半导体设备，接合基板包括设置有互连结构层和第一接合层的第一基板、以及设置有与第一接合层相对的第二接合层的第二基板。接合基板在平面图中包括功能元件区域和划线区域。该分割包括在划线区域中形成凹槽，并且在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板。贯穿第一基板和第二基板中的一个、互连结构层、以及第一接合层和第二接合层的凹槽被形成。凹槽从第一基板和第二基板中的所述一个延伸到比设置在第一基板和第二基板之间的所有互连层深的位置。
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