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公开(公告)号：CN105728304B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610088359.8
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04R1/00 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81C1/00626 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。
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公开(公告)号：CN105895797A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610387408.8
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/316 , H01L41/332 , H02N1/08
CPC classification number: B06B1/0292 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/332 , H02N1/006 , H02N1/08 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及机电换能器及其制造方法。所述机电换能器包括：第一电极、被设置在第一电极上的硅氧化物膜、以及包含被设置于硅氧化物膜上使得其间具有间隙的硅氮化物膜和被设置于硅氮化物膜上以与第一电极相对的第二电极的振动膜。
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公开(公告)号：CN105728304A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610088359.8
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04R1/00 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81C1/00626 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。
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公开(公告)号：CN102728533A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210097609.6
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04R1/00 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81C1/00626 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。
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公开(公告)号：CN115527931A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210707666.5
申请日：2022-06-21
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了半导体设备和制造半导体设备的方法。所公开的制造半导体设备的方法包括将接合基板分割成多个半导体设备，接合基板包括设置有互连结构层和第一接合层的第一基板、以及设置有与第一接合层相对的第二接合层的第二基板。接合基板在平面图中包括功能元件区域和划线区域。该分割包括在划线区域中形成凹槽，并且在凹槽的内侧表面之外的区域中切断接合基板。贯穿第一基板和第二基板中的一个、互连结构层、以及第一接合层和第二接合层的凹槽被形成。凹槽从第一基板和第二基板中的所述一个延伸到比设置在第一基板和第二基板之间的所有互连层深的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102728535B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210099694.X
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本申请涉及电气机械换能器及其制造方法。一种制造电气机械换能器的方法包括：在第一电极上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一膜片；在第一膜片上形成第二电极；在第一膜片中形成蚀刻孔，并且通过蚀刻孔移除牺牲层；在第二电极上形成第二膜片，并且密封蚀刻孔。形成第二膜片和密封蚀刻孔在一个操作中执行。
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公开(公告)号：CN102728534A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210099693.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/332 , H02N1/006 , H02N1/08 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及机电换能器及其制造方法。所述机电换能器包括：第一电极、被设置在第一电极上的硅氧化物膜、以及包含被设置于硅氧化物膜上使得其间具有间隙的硅氮化物膜和被设置于硅氮化物膜上以与第一电极相对的第二电极的振动膜。
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公开(公告)号：CN102728534B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210099693.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/332 , H02N1/006 , H02N1/08 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及机电换能器及其制造方法。所述机电换能器包括：第一电极、被设置在第一电极上的硅氧化物膜、以及包含被设置于硅氧化物膜上使得其间具有间隙的硅氮化物膜和被设置于硅氮化物膜上以与第一电极相对的第二电极的振动膜。
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公开(公告)号：CN102728533B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210097609.6
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04R1/00 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81C1/00626 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。
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公开(公告)号：CN102728535A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210099694.X
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本申请涉及电气机械换能器及其制造方法。一种制造电气机械换能器的方法包括：在第一电极上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一膜片；在第一膜片上形成第二电极；在第一膜片中形成蚀刻孔，并且通过蚀刻孔移除牺牲层；在第二电极上形成第二膜片，并且密封蚀刻孔。形成第二膜片和密封蚀刻孔在一个操作中执行。
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