公开(公告)号：CN102694049A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210184946.9

申请日：2012-06-07

申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司

发明人： 高锦成 ,  黄跃龙 ,  王志强 ,  朱红兵 ,  王颖 ,  关峰 ,  薛萌 ,  马云祥 ,  孙晓东 ,  延小鹏 ,  许浩宾

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种新型中间层结构的高效硅薄膜太阳能电池结构，包括：在硅薄膜太阳能电池中引入新型中间层结构，中间层结构包括多层n型微晶氧化硅材料或n型微晶氮化硅材料结构，或者多层n型微晶氧化硅材料和n型微晶氮化硅材料的复合结构，其层数为2层至10层，中间层的折射率范围在1.4-2.5，厚度范围在10-100nm。本发明的积极效果：可以在保持非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的顶电池本征层厚度不变的同时，提高顶电池的短路电流密度以及电池的光电转化效率，可以应用于硅基薄膜太阳能电池的制备以及实际批量工业生产。