化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN119472171A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411069502.X

    申请日:2024-08-06

    Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可以形成能够形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、对显影液的残渣缺陷的影响受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,包含(A)基础聚合物、(B)光酸产生剂及(C)淬灭剂,(A)基础聚合物,包含含有特定的含酚性羟基的单元、特定的含芳香环的单元及特定的经酸不稳定基团保护的含酚性羟基的单元的聚合物,(A)基础聚合物中包含的重复单元,全部为具有芳香环的重复单元,构成(A)基础聚合物的重复单元中包含的卤素原子的数量,为3以下。

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