导电性高分子组成物、被覆物、及图案形成方法

    公开(公告)号:CN118165638A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202311672809.4

    申请日:2023-12-07

    Abstract: 本发明涉及导电性高分子组成物、被覆物、及图案形成方法。课题是形成电子束抗蚀剂描绘用电荷耗散膜的导电性高分子组成物。解决手段是一种导电性高分子组成物,含有(A)具有式(1)的重复单元1种以上的聚苯胺系导电性高分子、及(B)含式(2‑1)或(2‑2)的阳离子的碳酸氢盐。#imgabs0#R1~R4是氢原子、酸性基团、羟基、硝基、卤素原子、直链状或分支状的烷基、含杂原子的烃基、或借由卤素原子经部分取代的烃基。X+ (2‑1)#imgabs1#X是选自锂、钠、钾、铯的1价碱金属,R101~R104是氢原子、烷基、烯基、氧代基烷基、氧代基烯基、芳基、芳烷基、或芳基氧代基烷基。R101与R102、R103与R104、R101与R102与R104亦可形成环。

    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN117666284A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311143912.X

    申请日:2023-09-06

    Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可形成能形成具有极高的分辨率、LER小、矩形性优良、显影负载的影响及显影残渣缺陷受到抑制的图案的抗蚀剂膜的化学增幅正型抗蚀剂组成物,以及提供使用该化学增幅正型抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,含有:经酸不稳定基团保护且因酸的作用而成为碱可溶性的基础聚合物;该基础聚合物包含含有下式(A1)表示的含酚性羟基的单元及下式(A2)表示的被酸不稳定基团保护的重复单元的聚合物,且该基础聚合物所含的聚合物的全部重复单元中,具有芳香环骨架的重复单元为65摩尔%以上。

    化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN118938600A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410567911.6

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 本发明涉及化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供一种可改善图案形成时的矩形性,且可获得LER、分辨度、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅负型抗蚀剂组成物,以及提供一种抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅负型抗蚀剂组成物,含有:(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂,及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#

    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN116954024A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310445090.4

    申请日:2023-04-24

    Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供可获得改善了图案形成时的分辨率且LER及CDU经改善的抗蚀剂图案,缺陷少且可使用300~400nm的短波长进行缺陷检查的化学增幅正型抗蚀剂组成物,以及提供抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,分别以预定量含有:(A)下式(A1)表示的鎓盐化合物,(B)基础聚合物,包含含有下式(B1)表示的重复单元且会因酸的作用而分解并增加在碱显影液中的溶解度的聚合物,但,不包含含有具内酯环的重复单元的聚合物,及(C)光酸产生剂。#imgabs0#

    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

    公开(公告)号:CN118938598A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410567506.4

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题为提供:可改善图案形成时的矩形性,且可获得LER、分辨性、图案忠实性及剂量宽容度经改善的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物,包含:(A)包含下式(A)表示的鎓盐的淬灭剂;及(B)包含含有下式(B1)表示的重复单元,且会因为酸的作用而分解,在碱显影液中的溶解度会增大的聚合物的基础聚合物。#imgabs0#

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