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公开(公告)号：CN109073907A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026044.3
申请日：2017-03-31
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 渡边聪明
摘要： 本发明的目的在于，提供一种光隔离器，与以往相比，成本降低、省空间化、重量轻，且即使存在热膨胀等的影响，与部件的接合可靠性也较高。本发明涉及一种光隔离器，其包含：将第一偏振器(3)、由强磁性体构成的法拉第旋转器(4)、第二偏振器(5)以该顺序接合固定而成的光隔离器芯片(7)；以及用于向该光隔离器芯片(7)施加磁场的磁石(12)，光隔离器芯片(7)的入射端面或者出射端面接合固定于部件(11)，光隔离器的光轴上的磁石(12)所形成的磁通的中心位于比法拉第旋转器(4)的光轴上的中心位置更靠向接合固定于部件(11)的端面侧。由此，提供与部件(11)的接合可靠性高的光隔离器。
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公开(公告)号：CN104145209A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280060030.0
申请日：2012-12-07
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G02B27/28
CPC分类号： G02F1/093 , G02B27/281 , H01F7/0273 , H01S5/0064
摘要： 本发明提供一种小型光隔离器，适合作为用于医疗、光学计测用等用途的半导体激光中使用的光隔离器。一种光隔离器，是用于320nm～633nm波长带，其特征在于，包括：波长405nm中的费尔德常数为0.70分钟/(Oe·cm)以上的法拉第转子；以及第1中空磁铁与第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元，第1中空磁铁配置于法拉第转子的外周，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元是在光轴上夹着第1中空磁铁而配置，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元包含相对于光轴而在90度方向上等分割的2个以上的磁铁，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(1)的范围内，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(2)的范围内。0.8×104≦B≦1.5×104 (1)，0.25≦L≦0.45 (2)。
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公开(公告)号：CN118091997A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410454359.X
申请日：2017-03-31
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 渡边聪明
摘要： 本发明的目的在于，提供一种光隔离器，与以往相比，成本降低、省空间化、重量轻，且即使存在热膨胀等的影响，与部件的接合可靠性也较高。本发明涉及一种光隔离器，其包含：将第一偏振器(3)、由强磁性体构成的法拉第旋转器(4)、第二偏振器(5)以该顺序接合固定而成的光隔离器芯片(7)；以及用于向该光隔离器芯片(7)施加磁场的磁石(12)，光隔离器芯片(7)的入射端面或者出射端面接合固定于部件(11)，光隔离器的光轴上的磁石(12)所形成的磁通的中心位于比法拉第旋转器(4)的光轴上的中心位置更靠向接合固定于部件(11)的端面侧。由此，提供与部件(11)的接合可靠性高的光隔离器。
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公开(公告)号：CN117461222A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280037467.6
申请日：2022-05-26
申请人： 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
摘要： 本发明为一种Q开关结构体，其具备固体激光介质与磁光材料，并由所述固体激光介质与所述磁光材料接合一体化而成，所述Q开关结构体中，在所述固体激光介质的一个面上形成有第一对粘合剂防反射膜，在所述磁光材料的一个面上形成有第二对粘合剂防反射膜，所述固体激光介质的第一对粘合剂防反射膜与所述磁光材料的第二对粘合剂防反射膜经由透光性材料而被粘合，所述透光性材料在由所述固体激光介质振荡出的激光的激光振荡波长下具有透光性。由此，提供一种有助于激光装置的小型化、且具有高光束质量的Q开关结构体。
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公开(公告)号：CN109642988B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201780053254.1
申请日：2017-08-15
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 渡边聪明
摘要： 本发明提供一种导光体，其用于光路光轴调整，其特征在于，由具有30dB以上的消光比的单晶硅构成。尤其是，导光体是仅将一个侧面接合固定于基座而构成的导光体。另外，本发明是一种光模块，其特征在于，具备上述导光体，上述导光体以为了进行部件间的光路光轴调整而调整设置角度的方式设置。另外，本发明是一种光路光轴调整方法，其特征在于，通过调整上述导光体的设置角度来进行部件间的光路光轴调整。由此，能够提供一种导光体，其不会对偏振光特性造成不良影响，并且能够容易地进行光路光轴调整。另外，能够提供使用了这种导光体的光模块以及光路光轴调整方法。
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公开(公告)号：CN108153002B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201711267584.9
申请日：2017-12-05
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 渡边聪明
IPC分类号： G02F1/09
摘要： 本发明的课题在于提供一种偏振无关型光隔离器，其无需分离后的回光的杂散光处理，表现出高度的隔离性。为了解决上述课题，提供一种偏振无关型光隔离器，其中，构成为含有：2个偏振光分离组件，其可使穿透光的偏振光成分分离；吸收型偏光器，其配置于被分离的各穿透光的光路上，并对应于该各穿透光的偏振面；及，法拉第旋光器；并且，在顺向上，前述法拉第旋光器配置成比前述吸收型偏光器更靠后。
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公开(公告)号：CN109642988A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053254.1
申请日：2017-08-15
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 渡边聪明
摘要： 本发明提供一种导光体，其用于光路光轴调整，其特征在于，由具有30dB以上的消光比的单晶硅构成。尤其是，导光体是仅将一个侧面接合固定于基座而构成的导光体。另外，本发明是一种光模块，其特征在于，具备上述导光体，上述导光体以为了进行部件间的光路光轴调整而调整设置角度的方式设置。另外，本发明是一种光路光轴调整方法，其特征在于，通过调整上述导光体的设置角度来进行部件间的光路光轴调整。由此，能够提供一种导光体，其不会对偏振光特性造成不良影响，并且能够容易地进行光路光轴调整。另外，能够提供使用了这种导光体的光模块以及光路光轴调整方法。
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公开(公告)号：CN105247405B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201480017523.5
申请日：2014-01-09
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 渡边聪明
CPC分类号： G02F1/093 , B28B3/003 , B28B11/0845 , B28B11/0872 , C04B35/50 , C04B2235/3286 , G02B5/3025 , G02B27/283 , G02F1/0036
摘要： 本发明的目的是提供一种能够相对地降低散乱光的影响、抑制光隔离器整体的特性劣化、使用具有至少38dB以上的高消光比的TGG陶瓷烧结体的法拉第转子以及采用该法拉第转子的光隔离器。本发明的特征在于，其为使用平均粒径为0.2～5.0μm的TGG陶瓷烧结体且透射光束直径为0.3mm以上的法拉第转子，优选该TGG陶瓷烧结体实施退火处理。
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公开(公告)号：CN105247405A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480017523.5
申请日：2014-01-09
申请人： 信越化学工业株式会社
发明人： 渡边聪明
CPC分类号： G02F1/093 , B28B3/003 , B28B11/0845 , B28B11/0872 , C04B35/50 , C04B2235/3286 , G02B5/3025 , G02B27/283 , G02F1/0036
摘要： 本发明的目的是提供一种能够相对地降低散乱光的影响、抑制光隔离器整体的特性劣化、使用具有至少38dB以上的高消光比的TGG陶瓷烧结体的法拉第转子以及采用该法拉第转子的光隔离器。本发明的特征在于，其为使用平均粒径为0.2～5.0μm的TGG陶瓷烧结体且透射光束直径为0.3mm以上的法拉第转子，优选该TGG陶瓷烧结体实施退火处理。
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公开(公告)号：CN104280901A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410332275.5
申请日：2014-07-11
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G02F1/09
CPC分类号： G02F1/093 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , G02F1/0036
摘要： 本发明的目的在于提供一种600nm～800nm波长范围用的小型化光隔离器，其适合于作为在医疗、光测量中使用的半导体激光器中的光隔离器。本发明是600nm～800nm波长范围用的光隔离器，其特征在于，该光隔离器具备法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的中空磁铁，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料构成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其中，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(2)的范围内。(TbxR1-x)2O3(I)在上式(I)中，x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的集合中的至少一种以上的元素。0.6≦L≦1.1(1)B≦0.5×104(2)。
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