有机卤代硅烷的制备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1834098A

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN200510056354.9

    申请日:2005-03-18

    IPC分类号: C07F7/12

    CPC分类号: C07F7/16

    摘要: 在铜催化剂存在下通过使金属硅颗粒与有机卤化物反应制备有机卤代硅烷。含金属硅和含铜催化剂组分的接触物料含有有效量的通过在球磨机、捣磨机、喷磨机、机械熔化设备或类似设备上机械表面处理锡粉和另一种金属、典型地为铜粉而获得的催化剂粉末。

    有机卤代硅烷的制备
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1256338C

    公开(公告)日:2006-05-17

    申请号:CN200310118333.6

    申请日:2003-11-21

    IPC分类号: C07F7/12

    CPC分类号: C07F7/16

    摘要: 当通过向反应器内引入含金属硅粒和铜催化剂的接触物质,和向反应器内引入含有机卤化物的气体原料,制备有机卤代硅烷时,控制气体原料内的有机卤化物气体的分压,以保持反应器内的温度基本上恒定。反应器内部温度的精确控制确保了能以安全和便宜的方式且高产率地由具有不停地变化反应性的接触物质生产较高有用硅烷含量的有机卤代硅烷。

    有机卤代硅烷的制备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1502618A

    公开(公告)日:2004-06-09

    申请号:CN200310118333.6

    申请日:2003-11-21

    IPC分类号: C07F7/12

    CPC分类号: C07F7/16

    摘要: 当通过向反应器内引入含金属硅粒和铜催化剂的接触物质,和向反应器内引入含有机卤化物的气体原料,制备有机卤代硅烷时,控制气体原料内的有机卤化物气体的分压,以保持反应器内的温度基本上恒定。反应器内部温度的精确控制确保了能以安全和便宜的方式且高产率地由具有不停地变化反应性的接触物质生产较高有用硅烷含量的有机卤代硅烷。

    有机卤代硅烷的制备
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1834098B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200510056354.9

    申请日:2005-03-18

    IPC分类号: C07F7/12

    CPC分类号: C07F7/16

    摘要: 在铜催化剂存在下通过使金属硅颗粒与有机卤化物反应制备有机卤代硅烷。含金属硅和含铜催化剂组分的接触物料含有有效量的通过在球磨机、捣磨机、喷磨机、机械熔化设备或类似设备上机械表面处理锡粉和另一种金属、典型地为铜粉而获得的催化剂粉末。

    有机卤代硅烷的制备
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1611506A

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN200410064158.1

    申请日:2004-08-20

    IPC分类号: C07F7/12

    CPC分类号: C07F7/16 B01J23/14

    摘要: 有机卤代硅烷通过向反应器中装入金属硅和催化剂的接触物质并将含有机卤化物的气体加料到反应器而制成。锡-或锡化合物用作催化剂。因此有机卤代硅烷可十分有效地在高反应速率下制成,同时保持低T/D比率和尽量减少副产物和碳的沉积。

    有机卤代硅烷的制备
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100467475C

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200410064158.1

    申请日:2004-08-20

    IPC分类号: C07F7/12

    CPC分类号: C07F7/16 B01J23/14

    摘要: 有机卤代硅烷通过向反应器中装入金属硅和催化剂的接触物质并将含有机卤化物的气体加料到反应器而制成。锡-或锡化合物用作催化剂。因此有机卤代硅烷可十分有效地在高反应速率下制成,同时保持低T/D比率和尽量减少副产物和碳的沉积。