公开(公告)号：CN110970343A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910837131.8

申请日：2019-09-05

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉冈翔平

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明提供一种气相生长装置以及外延晶片制造方法，其能够抑制由半导体基板与基座间存在的气体造成的半导体基板在基座上的横向打滑。气相生长装置（1）具备：基座（3）；零件（4），其支撑基座（3）；升降杆（5），其在基座3上而独立于基座3进行升降；升降杆支撑件（7），其连接于促动器（6），并具有托起升降杆（5）的功能。升降杆5包括长升降杆（5a）与短升降杆（5b），当支撑半导体基板W时，半导体基板（W）略微倾斜。该倾斜角度优选为0.1°以上且不足10°，更优选为0.1°以上且不足1°。由此，当半导体基板（W）与基座（3）接触时，能够排出两者间隙中存在的气体，并能够抑制半导体基板（W）在基座（3）上的横向打滑。

公开(公告)号：CN109075039A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780023720.1

申请日：2017-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉冈翔平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L21/20

Abstract: 外延晶片的制造方法包括准备工艺和生长工艺。在准备工艺中，准备掺杂有红磷的低电阻率基板W。基板W中添加5×1019atoms/cm³以上的磷作为掺杂剂。在生长工艺中，在1040℃以上且1130℃以下的温度下，以2μm/min以下的生长速度，在基板W上生长外延层。由此，提供一种可以抑制积层缺陷的外延晶片的制造方法。

公开(公告)号：CN109075039B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201780023720.1

申请日：2017-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉冈翔平

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L21/20

Abstract: 外延晶片的制造方法包括准备工艺和生长工艺。在准备工艺中，准备掺杂有红磷的低电阻率基板W。基板W中添加5×1019atoms/cm³以上的磷作为掺杂剂。在生长工艺中，在1040℃以上且1130℃以下的温度下，以2μm/min以下的生长速度，在基板W上生长外延层。由此，提供一种可以抑制积层缺陷的外延晶片的制造方法。