公开(公告)号：CN104620355A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380046910.7

申请日：2013-09-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒井刚 ,  稻田聪史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/10 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  G01N33/00 ,  G01N33/0036 ,  G01N2033/0095 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L22/12

Abstract: 进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁（S1）。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤（S2、S3）。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到达既定次数时（S4：否），再次实施气相蚀刻步骤及热处理步骤（S1、S2）。在热处理步骤中，使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的顺序不变。在气相蚀刻步骤及热处理步骤已实施既定次数之后（S4：是），将各晶片表面的污染回收，利用ICP—MS测定Mo浓度（S5）。根据各Mo浓度的值或Mo浓度间的关是，来评价气相成长装置的清洁度（S6）。从而提供一种能高精度地测定气相成长装置的污染量的方法。

公开(公告)号：CN104620355B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380046910.7

申请日：2013-09-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 荒井刚 ,  稻田聪史

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/10 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  G01N33/00 ,  G01N33/0036 ,  G01N2033/0095 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L22/12

Abstract: 进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁(S1)。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤(S2、S3)。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到达既定次数时(S4：否)，再次实施气相蚀刻步骤及热处理步骤(S1、S2)。在热处理步骤中，使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的顺序不变。在气相蚀刻步骤及热处理步骤已实施既定次数之后(S4：是)，将各晶片表面的污染回收，利用ICP—MS测定Mo浓度(S5)。根据各Mo浓度的值或Mo浓度间的关系，来评价气相成长装置的清洁度(S6)。从而提供一种能高精度地测定气相成长装置的污染量的方法。