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公开(公告)号：CN105206534B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201410277040.0
申请日：2014-06-19
Applicant: 先进科技新加坡有限公司 , 北京燕东微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种引线框架及其形成方法、芯片封装方法，其中，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，所述引线框架的形成方法包括：提供基片；去除所述基片的一部分形成预留空间，从而形成第一结构；对所述第一结构进行冲压，所述第一结构延展至所述预留空间，形成第二结构；对所述第二结构和所述基片进行修整，分别形成第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。本发明的引线框架所形成的封装体厚度小。
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公开(公告)号：CN105206534A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410277040.0
申请日：2014-06-19
Applicant: 先进科技新加坡有限公司 , 北京燕东微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种引线框架及其形成方法、芯片封装方法，其中，所述引线框架具有用于放置芯片的位置，所述引线框架的形成方法包括：提供基片；去除所述基片的一部分形成预留空间，从而形成第一结构；对所述第一结构进行冲压，所述第一结构延展至所述预留空间，形成第二结构；对所述第二结构和所述基片进行修整，分别形成第三结构和第四结构，所述第三结构和第四结构在芯片位置的相对侧具有不在同一平面的表面，所述第三结构的厚度小于第四结构的厚度。本发明的引线框架所形成的封装体厚度小。
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公开(公告)号：CN103258815B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310139156.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 北京燕东微电子有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G-，PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G+，NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。
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公开(公告)号：CN102110619A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910259981.0
申请日：2009-12-24
Applicant: 淮永进 , 北京燕东微电子有限公司
Inventor： 淮永进
Abstract: 随着通讯设备传输速度的不断加快，数据线保护器件电容越来越小，但功率耐量仍然较高，传统的加工结构已无法达到设计要求。尽管将瞬态电压抑制芯片和低电容器件芯片集成在同一芯片上可减少芯片占有空间，但功率耐量将受到损失。一种提高微型低电容保护器件功率耐量的结构设计所采用一组瞬态电压抑制(TVS)芯片同低电容器件独立设计，采用如附图的结构封装，芯片加工难度大大减小，并可适当加大TVS面积，同低电容器件装配在同一微型封装体内，解决了低电容高功率的矛盾。
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公开(公告)号：CN106158851B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201610797085.X
申请日：2016-08-31
Applicant: 北京燕东微电子有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法。该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第三外延层；在第一外延层和第三外延层之间形成的第二导电类型的第一埋层；在第三外延层中与第一埋层相对形成的第二导电类型的第一掺杂区；在第三外延层中形成的第一导电类型的第二掺杂区，其中第二掺杂区与第一埋层不相对；第一沟槽，其中第一沟槽自第三外延层表面延伸至半导体衬底内；第二沟槽，其中第二沟槽自第三外延层表面延伸穿过第三外延层；第一绝缘介质，填充在第一沟槽和第二沟槽中；第三沟槽，第三沟槽自第三外延层表面延伸穿过第一埋层至第一外延层内；有源区，其由在第三沟槽中填充的原位多晶硅并退火形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900645B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510282708.5
申请日：2015-05-28
Applicant: 北京燕东微电子有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/74 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/8222 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开一种电压浪涌保护器件及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一基区，从衬底的第一表面延伸进入衬底中；与第一基区相对的第二导电类型的第二基区，从衬底的与第一表面相对的第二表面延伸进入衬底中；多个第一导电类型的第一发射区，从衬底的第一表面延伸进入第一基区中；多个第一导电类型的第二发射区，从衬底的第二表面延伸进入第二基区中，与第一发射区错开，其中第一导电类型与第二导电类型互补。本发明的电压浪涌保护器件能够提供正反向浪涌保护能力，并且在一些优选实施例中，本发明的电压浪涌保护器件的正、反向浪涌保护能力均衡，泄流速度快，体积小。
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公开(公告)号：CN106169508A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610798002.9
申请日：2016-08-31
Applicant: 北京燕东微电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L27/082
Abstract: 本发明涉及一种双向超低电容TVS及其制作方法，该TVS包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第一埋层，该第一埋层自第一外延层表面延伸至其内，第一埋层所环绕的第一外延层的区域为隔离岛；在隔离岛内形成的第一导电类型的第三埋层，其延伸进入第一外延层；形成第一导电类型的第三外延层；在隔离岛内形成的第二导电类型的隔离，其从第三外延层表面延伸进入第一外延层；第一导电类型的第一掺杂区，形成在第三埋层上方的第三外延层中；第一导电类型的第二掺杂区，包括与隔离接触的第二掺杂区和由隔离所环绕的区域内的第二掺杂区；第二导电类型的第三掺杂区，形成在第一掺杂区环绕的第三外延层中。
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公开(公告)号：CN103258815A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310139156.3
申请日：2013-04-19
Applicant: 北京燕东微电子有限公司 , 北京时代华诺科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括，NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合，其中，NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G-，PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G+，NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。
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公开(公告)号：CN103997303B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410201152.8
申请日：2014-05-13
Applicant: 北京燕东微电子有限公司 , 深圳市锐迪芯电子有限公司
IPC: H03F3/185
Abstract: 本发明公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本发明由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本发明还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
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公开(公告)号：CN103997303A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410201152.8
申请日：2014-05-13
Applicant: 北京燕东微电子有限公司 , 深圳市锐迪芯电子有限公司
IPC: H03F3/185
Abstract: 本发明公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本发明由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本发明还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
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