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公开(公告)号：CN118472779A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310147516.8
申请日：2023-02-09
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
摘要： 本发明提供一种级联激光器，包括：第一固体激光器和倍频非线性晶体单元，所述第一固体激光器用于发出具有第一波长的第一激光，所述倍频非线性晶体单元用于对第一激光进行N次倍频后输出第一特征激光，第一特征激光的波长为第一波长的1/2N,N为大于或等于1的整数；和频非线性晶体和第二固体激光器；第二固体激光器用于发出第二特征激光；所述和频非线性晶体用于接受第一特征激光和第二特征激光并输出种子激光，所述种子激光的频率等于第一特征激光的频率和第二特征激光的频率之和；准分子激光器，所述准分子激光器用于对所述种子激光进行功率放大。所述级联激光器相干性好、输出功率高。
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公开(公告)号：CN118169969A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211579191.2
申请日：2022-12-08
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种光源对准的确定方法和装置、电子设备和存储介质，其中，该方法包括：获取由全息成像生成的干涉图样或对掩膜进行调整后的目标掩膜；根据所述干涉图样或所述目标掩膜，得到照射在光栅之后所检测到的透过所述光栅的光照强度；根据所述光照强度生成对应的线条变化图，其中，所述线条变化图用于表征光学信号；根据所述线条变化图确定对准点，并将所述对准点对应的当前掩膜的第一位置信息和当前硅片的第二位置信息作为光源对准的约束条件。通过本申请，解决了相关技术中存在的引入额外对准系统导致的成本过高、系统较复杂且稳定性不足致使对准不精确的问题。
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公开(公告)号：CN116819884A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311111043.2
申请日：2023-08-31
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
摘要： 本发明涉及光刻技术领域，公开了一种掩模倾斜角度测量装置及曝光设备，该掩模倾斜角度测量装置包括：光束输出部，用于输出光束；全息掩模，设置在所述光束输出部输出的光束的光路上，所述全息掩模上设有至少两个对称的斜坡；波前探测器，设置在经过所述全息掩模后的光束的光路上，用于测量经过两个所述斜坡的光束的波前；其中，所述斜坡的参数满足以预设倾斜角度经过两个所述斜坡的光束的波前差大于所述波前探测器的测量精度。本发明使用斜坡这一简单的结构，不需要进行套刻和大量复杂的采集计算，通过对波前的观察就能实现对全息掩模角度的测量，因此本发明具有精度高、成本低、操作简单的优点。
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公开(公告)号：CN116859682A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311111047.0
申请日：2023-08-31
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
摘要： 本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种掩模的曝光标定装置及方法，应用于光刻机，装置包括光源、准直结构和标准掩模。其中，光源用于产生激光光束，形成标定光路；准直结构沿标定光路设置在光源和对应准直结构的成像位置之间，用于对激光光束进行准直以形成入射至成像位置的准直光束；其中，成像位置用于作为全息掩模的曝光位置；标准掩模对应于准直光束，在第一状态下以第一位姿设置在成像位置上，根据准直光束入射标准掩模之后产生的第一成像结果调节准直结构；其中，基于调节之后的准直结构，全息掩模在第二状态下以第一位姿在成像位置实现曝光，从而完成曝光标定。本发明通过标准掩模实现了曝光标定，从而确保了后续光刻曝光精准度。
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公开(公告)号：CN118295214A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310001877.1
申请日：2023-01-03
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开一种光刻机，属于半导体制造设备技术领域，包括光源系统、掩膜板装载台和硅片工件台，所述掩膜板装载台位于所述硅片工件台和所述光源系统之间，还包括：隔离罩，所述隔离罩位于所述掩膜板装载台背离光源系统的一侧且与掩膜板装载台可拆卸连接；所述隔离罩与所述掩膜板装载台组成封闭空腔；所述隔离罩朝向所述硅片工件台的一侧设置有曝光光阑。上述光刻机降低了掩模板与硅片之间的热场与气流场对光刻精度的影响。
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公开(公告)号：CN116859682B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311111047.0
申请日：2023-08-31
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
摘要： 本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种掩模的曝光标定装置及方法，应用于光刻机，装置包括光源、准直结构和标准掩模。其中，光源用于产生激光光束，形成标定光路；准直结构沿标定光路设置在光源和对应准直结构的成像位置之间，用于对激光光束进行准直以形成入射至成像位置的准直光束；其中，成像位置用于作为全息掩模的曝光位置；标准掩模对应于准直光束，在第一状态下以第一位姿设置在成像位置上，根据准直光束入射标准掩模之后产生的第一成像结果调节准直结构；其中，基于调节之后的准直结构，全息掩模在第二状态下以第一位姿在成像位置实现曝光，从而完成曝光标定。本发明通过标准掩模实现了曝光标定，从而确保了后续光刻曝光精准度。
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公开(公告)号：CN118525252A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202380014944.1
申请日：2023-12-06
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
摘要： 一种基于全息光刻的对准方法、系统及设备，涉及全息光刻技术领域。对准方法包括：控制照明光经过全息掩模的对准图像区后生成对准图像，其中，对准图像包括第一周期图像和第二周期图像，第一周期图像和第二周期图像的周期不同(S301)；获取根据对准图像生成的和第一周期图像对应的光强以及和第二周期图像对应的光强，调整硅片和/或全息掩模的相对位置(S302)；根据第一周期图像对应的光强和第二周期图像对应的光强相等且均达到最大值时确定硅片与全息掩模之间关于全息光刻的对准位置(S303)。不需要引入额外的对准系统就可以实现全息掩模和硅片的对准，简化对准结构，且避免引入对准系统导致引入新的误差量，从而提高套刻对准精度。
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公开(公告)号：CN116819884B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311111043.2
申请日：2023-08-31
申请人： 光科芯图(北京)科技有限公司
摘要： 本发明涉及光刻技术领域，公开了一种掩模倾斜角度测量装置及曝光设备，该掩模倾斜角度测量装置包括：光束输出部，用于输出光束；全息掩模，设置在所述光束输出部输出的光束的光路上，所述全息掩模上设有至少两个对称的斜坡；波前探测器，设置在经过所述全息掩模后的光束的光路上，用于测量经过两个所述斜坡的光束的波前；其中，所述斜坡的参数满足以预设倾斜角度经过两个所述斜坡的光束的波前差大于所述波前探测器的测量精度。本发明使用斜坡这一简单的结构，不需要进行套刻和大量复杂的采集计算，通过对波前的观察就能实现对全息掩模角度的测量，因此本发明具有精度高、成本低、操作简单的优点。
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