公开(公告)号：CN107210341A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006614.8

申请日：2016-01-15

申请人： 克利公司

发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  普里蒂希·卡尔 ,  斯滕·海克曼 ,  哈沙德·戈拉基亚 ,  拉热维·阿查亚 ,  尤瓦拉杰·多雷

IPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/46

摘要： 本申请公开了一种LED芯片，其可以造成使用较少步骤的更简单的制造过程。LED结构可以具有比传统LED芯片更少的层，所述层以三种不同的方式设置，以有效地制造和操作。所述LED芯片(50)包括有源LED结构(52)。一个选择是包括与相反掺杂层中的一个层相邻的介电反射层(60)，并且金属反射层(62)位于介电反射层(60)上，其中，介电(60)和/或金属(62)反射层延伸超过所述有源区域(52)的边缘。通过使介电层延伸，所述LED芯片可以通过反射更多的LED光以在期望的方向发射而以更高的效率发射。通过将金属反射层延伸超过有源区域的边缘，除了反射LED光以在期望的方向发射以外，金属反射层还可以用作电流扩散层和阻挡层。简化制造的其他选择是LED芯片包括自对准和/或自限制特征，简化了制造期间的蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN107210341B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201680006614.8

申请日：2016-01-15

申请人： 克利公司

发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  普里蒂希·卡尔 ,  斯滕·海克曼 ,  哈沙德·戈拉基亚 ,  拉热维·阿查亚 ,  尤瓦拉杰·多雷

IPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/46

摘要： 本申请公开了一种LED芯片，其可以造成使用较少步骤的更简单的制造过程。LED结构可以具有比传统LED芯片更少的层，所述层以三种不同的方式设置，以有效地制造和操作。所述LED芯片(50)包括有源LED结构(52)。一个选择是包括与相反掺杂层中的一个层相邻的介电反射层(60)，并且金属反射层(62)位于介电反射层(60)上，其中，介电(60)和/或金属(62)反射层延伸超过所述有源区域(52)的边缘。通过使介电层延伸，所述LED芯片可以通过反射更多的LED光以在期望的方向发射而以更高的效率发射。通过将金属反射层延伸超过有源区域的边缘，除了反射LED光以在期望的方向发射以外，金属反射层还可以用作电流扩散层和阻挡层。简化制造的其他选择是LED芯片包括自对准和/或自限制特征，简化了制造期间的蚀刻工艺。