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    用于分割结晶材料的激光辅助方法
    1.
    发明公开
    用于分割结晶材料的激光辅助方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113508002A

    公开(公告)日：2021-10-15

    申请号：CN201980093258.1

    申请日：2019-12-27

    申请人： 克利公司

    发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  约翰·埃德蒙 ,  哈沙德·戈拉基亚 ,  埃里克·梅耶尔

    IPC分类号： B23K26/53 ,  H01L21/02 ,  B23K101/40 ,  B23K103/00 ,  B23K26/03

    摘要： 一种结晶材料处理方法，包括在第一平均深度位置形成表面下激光损坏以在基材内部形成从至少一个表面下激光损坏图案向外扩展的裂纹，随后成像基材的顶表面，分析图像以确定指示基材内的未断裂区的存在的条件，以及响应于该分析进行一个或多个动作。一个动作包括改变用于产生随后的激光损坏(在第二或随后的平均深度位置处)的指令集，而不必在第一深度位置处形成额外的损坏。另一动作包括在第一深度位置处形成额外的表面下激光损坏。用漫射光源照射基材表面，该漫射光源垂直于主基材平坦部布置并位于基材的第一侧，并且用位于基材的相对的第二侧的成像设备成像基材表面。

    高效LED以及制造方法
    3.
    发明公开
    高效LED以及制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN107210341A

    公开(公告)日：2017-09-26

    申请号：CN201680006614.8

    申请日：2016-01-15

    申请人： 克利公司

    发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  普里蒂希·卡尔 ,  斯滕·海克曼 ,  哈沙德·戈拉基亚 ,  拉热维·阿查亚 ,  尤瓦拉杰·多雷

    IPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/46

    摘要： 本申请公开了一种LED芯片，其可以造成使用较少步骤的更简单的制造过程。LED结构可以具有比传统LED芯片更少的层，所述层以三种不同的方式设置，以有效地制造和操作。所述LED芯片(50)包括有源LED结构(52)。一个选择是包括与相反掺杂层中的一个层相邻的介电反射层(60)，并且金属反射层(62)位于介电反射层(60)上，其中，介电(60)和/或金属(62)反射层延伸超过所述有源区域(52)的边缘。通过使介电层延伸，所述LED芯片可以通过反射更多的LED光以在期望的方向发射而以更高的效率发射。通过将金属反射层延伸超过有源区域的边缘，除了反射LED光以在期望的方向发射以外，金属反射层还可以用作电流扩散层和阻挡层。简化制造的其他选择是LED芯片包括自对准和/或自限制特征，简化了制造期间的蚀刻工艺。

    包括倒装芯片发光二极管的发光设备
    4.
    发明公开
    包括倒装芯片发光二极管的发光设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN113345988A

    公开(公告)日：2021-09-03

    申请号：CN202110604945.4

    申请日：2016-09-29

    申请人： 克利公司

    发明人： 迈克尔·约翰·贝格曼 ,  马修·多诺弗里奥 ,  彼得·斯考特·安德鲁斯 ,  科林·布莱克利 ,  特洛伊·古尔德 ,  杰克·维优

    IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

    摘要： 公开了一种包括倒装芯片发光二极管的发光设备，倒装芯片发光二极管包括：多个半导体层，包括第一半导体层和第二半导体层，发光有源区域布置在第一半导体层与第二半导体层之间；多层反射器，被布置成接近于多个半导体层，包括金属反射器层和电介质反射器层，其中，电介质反射器层布置在金属反射器层与多个半导体层之间；钝化层，布置在金属反射器层与第一电接触和第二电接触之间；以及导电微接触的第一阵列，延伸通过钝化层并且提供第一电接触与第一半导体层之间的电通信；导电微接触的第二阵列，延伸通过钝化层并且提供第二电接触与第二半导体层之间的电通信；势垒层，包括布置在金属反射器层与钝化层之间的多个金属；多个半导体层形成台面。

    用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法
    6.
    发明公开
    用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113228232A

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN201980087197.8

    申请日：2019-12-27

    申请人： 克利公司

    发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  约翰·埃德蒙 ,  华双·康 ,  叶利夫·巴尔卡斯

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  C30B33/00 ,  H01L21/762

    摘要： 用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如>800μm厚度)，其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂，以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进：(i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩；(ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体；和/或(iii)向晶体材料施加超声能量。