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    用于生产钾产品的二氧化硫洗涤系统和方法
    1.
    发明公开
    用于生产钾产品的二氧化硫洗涤系统和方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN117228639A

    公开(公告)日：2023-12-15

    申请号：CN202311251933.3

    申请日：2016-12-16

    申请人： 泰森德洛克利公司

    发明人： M·M·霍加蒂 ,  C·L·F·洛克哈特 ,  A·季米特里亚季斯 ,  M·P·克拉克森 ,  H·C·科明斯基 ,  J·范考文伯格 ,  N·S·许尔特 ,  A·T·戈德史密斯

    IPC分类号： C01B17/64

    摘要： 本发明涉及一种制备硫代硫酸钾、亚硫酸钾或亚硫酸氢钾的方法，其包含下列步骤：步骤(1a)：提供氢氧化钾溶液以中和成酸组分，如溶解SO2或H2S；步骤(1b)：提供SO2接触溶液，其含有至少一些亚硫酸钾或亚硫酸氢钾或硫代硫酸钾；步骤(2)：提供SO2气体；步骤(3)：使这些反应以吸收SO2气体和形成包含亚硫酸钾或亚硫酸氢钾或其混合物的中间反应混合物、和任选回收所述亚硫酸钾或亚硫酸氢钾或其混合物和/或任选使用步骤4和5；步骤(4)：将含有具有0、‑2或在0至‑2之间的氧化态的硫的含硫或硫化物的化合物添加到所述反应混合物和任选氢氧化钾中，和使所述混合物在合适的条件下反应以形成硫代硫酸钾；和步骤(5)：回收所述硫代硫酸钾和任选浓缩所述硫代硫酸钾。

    用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法
    2.
    发明公开
    用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113228232A

    公开(公告)日：2021-08-06

    申请号：CN201980087197.8

    申请日：2019-12-27

    申请人： 克利公司

    发明人： 马修·多诺弗里奥 ,  约翰·埃德蒙 ,  华双·康 ,  叶利夫·巴尔卡斯

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  C30B33/00 ,  H01L21/762

    摘要： 用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如>800μm厚度)，其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂，以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进：(i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩；(ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体；和/或(iii)向晶体材料施加超声能量。

    宽带隙半导体器件
    4.
    发明公开
    宽带隙半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN112534586A

    公开(公告)日：2021-03-19

    申请号：CN201980049518.5

    申请日：2019-07-05

    申请人： 克利公司

    发明人： 世亨·柳

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

    摘要： 金属氧化物半导体场效应晶体管包括：宽带隙衬底，在衬底上的宽带隙漂移层，漂移层中的多个结注入物，以及结注入物之间的JFET区域。JFET区域由JFET间隙限定，该间隙是相邻的结注入物之间的距离。JFET间隙在整个MOSFET器件中并不均匀。JFET区域被分成第一JFET子区域和第二JFET子区域，使得第一JFET子区域中的掺杂浓度不同于第二JFET子区域中的掺杂浓度。

    具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装
    5.
    发明公开
    具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装 有权 转让

    公开(公告)号：CN112189256A

    公开(公告)日：2021-01-05

    申请号：CN201980035067.X

    申请日：2019-04-23

    申请人： 克利公司

    发明人： 罗尚·穆尔蒂 ,  肯尼·M·戴维斯 ,  杰-永·帕克 ,  史小萌

    IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/075

    摘要： 公开了包括发光二极管(LED)的固态发光装置，并且更具体地，公开了包括单独可控的LED芯片的封装LED。在一些实施例中，LED封装包括电连接件，其被配置为减少封装内的金属腐蚀；或者降低LED封装的总正向电压；或者为静电放电(ESD)芯片提供电路径。在一些实施例中，LED封装包括LED芯片阵列，每个LED芯片是单独可控的，使得可以选择性地激活或去激活单独的LED芯片或LED芯片的子组。可以在LED芯片阵列上设置单个波长转换元件，或者可以在阵列的一个或多个单独的LED芯片上设置分离的波长转换元件。代表性的LED封装对于需要具有可控亮度或适应性发射模式的高发光强度的应用可以是有益的。

    发光二极管的反射层
    8.
    发明公开
    发光二极管的反射层 审中-实审 转让

    公开(公告)号：CN111788702A

    公开(公告)日：2020-10-16

    申请号：CN201980016062.2

    申请日：2019-01-28

    申请人： 克利公司

    发明人： 迈克尔·切克 ,  凯文·哈布雷恩

    IPC分类号： H01L33/46

    摘要： 公开了一种具有高反射率的反射层的发光二极管(LED)芯片。该LED芯片可以包括有源LED结构，该有源LED结构包括在n型层和p型层之间的有源层。第一反射层与有源LED结构相邻，并且包括具有不同光学厚度的多个介电层。多个介电层可以包括不同厚度和组成的多个第一介电层和多个第二介电层。该LED芯片还可以包括第二反射层，该第二反射层包括穿过第一反射层的导电路径。粘合层可以设置在第一反射层和第二反射层之间。该粘合层可以包括金属氧化物，该金属氧化物促进提高粘合性并降低光学损耗。

    具有偏置带的RF放大器封装
    9.
    发明公开
    具有偏置带的RF放大器封装 有权

    公开(公告)号：CN111279469A

    公开(公告)日：2020-06-12

    申请号：CN201880069736.0

    申请日：2018-09-19

    申请人： 克利公司

    发明人： 蒂莫西·坎宁 ,  比约恩·赫尔曼 ,  理查德·威尔逊

    IPC分类号： H01L23/053

    摘要： RF放大器封装的实施例包括主体部，该主体部包括：电绝缘上表面，具有第一相对边缘侧和第二相对边缘侧；以及导电管芯焊盘，其垂直凹入上表面下方，并且包括第一相对侧和第二相对侧以及与第一侧和第二侧相交的第三侧。这样的实施例还包括设置在上表面上的第一导电引线和第二导电引线，第二引线从邻近于第二侧延伸到第二边缘侧；以及第一导电偏置带，其连接至第二引线并设置在邻近于第三侧的上表面上。其他实施例包括封装的RF放大器，其包括这样的RF放大器封装，以及安装在管芯焊盘上的RF晶体管，并且包括：电耦接到第一引线的控制端子，直接面对并电连接到管芯焊盘的参考电位端子，以及电连接到第二引线的输出端子。