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发明公开
具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1992337A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064203.2

申请日：2006-12-22

申请人： 克里公司

发明人： A·K·阿加瓦尔 , S·克里什纳斯瓦米 , S·-H·刘 , D·C·卡佩尔

IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/24 , H01L21/331

CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/1004 , H01L29/7325

摘要： 双极结型晶体管(BJT)包括：第一导电型的碳化硅(SiC)集电极层，在碳化硅集电极层上第二导电型的外延碳化硅基极层外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台。在碳化硅发射极台外部在外延碳化硅基极层的至少一部分上提供第一导电型的外延碳化硅钝化层。外延碳化硅钝化层可以设置以在零器件偏压时完全耗尽。还公开了相关的制造方法。