公开(公告)号：CN105977156B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610138270.8

申请日：2016-03-11

申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： C.达尔 ,  D.A.楚马科夫

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66272

摘要： 提供了一种用于制造晶体管的方法。该方法包括在半导体衬底上布置堆叠，该堆叠包括牺牲层和绝缘层。绝缘层至少部分地布置在半导体衬底与牺牲层之间。凹槽形成在堆叠内，其中凹槽通过堆叠延伸到半导体衬底使得凹槽至少部分地与半导体衬底的集电极区的表面重叠。集电极区从半导体衬底的主表面延伸到衬底材料中。该方法还包括在集电极区处并且在凹槽中生成基极结构。基极结构接触并且覆盖牺牲层的凹槽内的集电极区。该方法还包括在基极结构处生成发射极结构，其中发射极结构接触并且至少部分地覆盖牺牲层的凹槽内的基极结构。

公开(公告)号：CN108574008A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711011586.1

申请日：2017-10-26

申请人： 格芯公司

发明人： J·辛格 ,  朱宝富

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/735 ,  H01L27/0259 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/107 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/6625

摘要： 本发明涉及高压和模拟双极器件。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及高压、模拟双极器件以及制造方法。该结构包括：形成在衬底中的基极区；形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的集电极区；以及形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的发射极区。

公开(公告)号：CN104637811B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201310567397.8

申请日：2013-11-14

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 潘光燃 ,  文燕 ,  王焜 ,  石金成 ,  高振杰

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

摘要： 本发明提供了一种晶体管制造方法和一种晶体管，其中晶体管制造方法包括：在形成有第一氧化层和第一基区的衬底的表面生长第二氧化层，第二氧化层位于第一基区的上方；在第二氧化层上的第一预设区域形成发射区；在第二氧化层上的第二预设区域形成接触孔，其中，第二预设区域与第一预设区域不相交；对接触孔区域的第一基区的表层注入掺杂元素；对衬底进行热处理，以激活掺杂元素形成第二基区。本发明能够将浓基区光刻层和接触孔光刻层巧妙的进行工艺整合，实现了浓基区光刻层和接触孔光刻层两者的自对准关系，解决了浓基区与接触孔的对准偏差问题。

公开(公告)号：CN104078496B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201410108709.3

申请日：2014-03-21

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 托尼·范胡克 ,  维特·桑迪斯 ,  安可·赫琳哈 ,  迪克·克劳森 ,  埃弗利娜·格里德莱特 ,  让·斯劳特勃

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6628 ,  H01L29/7327 ,  H01L29/739

摘要： 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体衬底。所述器件还包括在半导体衬底上的双极晶体管。双极晶体管包括射极。双极晶体管还包括位于射极上方的基极。双极晶体管还包括位于基极上方的横向延伸的集电极。集电极包括延伸经过基极边缘的部分。

公开(公告)号：CN106920841A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610893921.4

申请日：2016-10-13

申请人： 福特全球技术公司

发明人： 苏明

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L27/082 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004

摘要： 本发明公开一种多区域的功率半导体器件。一种功率半导体器件由具有相似结构的多个区域构成。所述区域中的每个可通过在切换到非导通状态期间的开关损耗来表征。所述器件被构造为使得开关损耗在所述区域中的至少两个区域之间不同。此外，所述器件被构造为使得具有较大的开关损耗的区域在具有较小的开关损耗的区域之前切换到非导通状态。

公开(公告)号：CN106783990A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710082601.5

申请日：2017-02-16

申请人： 电子科技大学

发明人： 许晓锐 ,  陈万军 ,  刘超 ,  张波

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/407

摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是采用两块分离的P型基区，并在相邻的P型基区之间插入一个沟槽场板结构(GFP)。该结构沿器件垂直方向插入到N‑漂移区层1中。由于沟槽场板GFP的存在，所发明的沟槽结构与N‑漂移区层接触的区域比常规IGBT更多，所以GFP结构形成积累层的效果更加显著，提高了发射极一侧载流子浓度，使电导调制更加充分，导通压降得以降低。由于采用微小的分离的P型基区，减少了反偏PN结对N漂移区中空穴的抽取，提高了发射极一侧载流子的浓度，起到了辅助降低导通压降的作用。

公开(公告)号：CN106504992A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610859002.5

申请日：2016-09-28

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 乔伊·迈克格雷格 ,  郑志星 ,  吉扬永 ,  艾瑞克·布劳恩

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0928 ,  H01L21/823892 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

摘要： 公开了LDMOS及相关半导体集成电路的制作方法。其中LDMOS器件形成于具有第一掺杂类型的半导体衬底中，该制作方法包括：采用第一掩膜向半导体衬底中注入一系列的杂质，以形成靠近半导体衬底表面且具有第二掺杂类型的第一区域、位于第一区域之下且具有第一掺杂类型的第二区域、以及位于第二区域之下且具有第二掺杂类型的第三区域；采用第二掩膜向半导体衬底中注入杂质，以形成与第一、第二和第三区域毗邻且具有第二掺杂类型的第四区域，其中该第四区域自半导体衬底的表面向下延伸至与第三区域相当的深度；以及采用第三掩膜向第一区域内注入杂质，以形成具有第一掺杂类型的第一阱。

公开(公告)号：CN103681807B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210325333.2

申请日：2012-09-05

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 韩广涛

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L29/1004

摘要： 本发明公开了一种双极结型晶体管及其制作方法。该双极结型晶体管，包括：第一导电型底阱区；位于第一导电型底阱区上的第二导电型阱区；分别位于第二导电型阱区两侧且在所述第一导电型底阱区上的第一导电型阱区；位于第二导电型阱区上的第一导电型发射区；位于第一导电型发射区两侧的第二导电型基区；位于第一导电型阱区上的第一导电型集电区；其中，在第一导电型发射区下设有第二导电型注入区。该双极结型晶体管在保证满足放大倍数的需求情况下，具有较好的耐高压性能，其制作方法可与现有的制造工艺兼容。

公开(公告)号：CN103227196B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310022558.5

申请日：2013-01-22

申请人： 国际商业机器公司

发明人： R·卡米洛-卡斯蒂罗 ,  何忠祥 ,  J·B·约翰逊 ,  刘奇志 ,  刘学锋

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明提供了异质结双极晶体管（HBT）结构、其制造方法及其设计结构。所述HBT包括其中具有子集电极区域的半导体衬底。所述HBT结构还包括覆盖所述子集电极区域的一部分的集电极区域。所述HBT结构还包括覆盖所述集电极区域的至少一部分的内部基极层。所述HBT结构还包括与所述内部基极层相邻并电连接的外部基极层。所述HBT结构还包括在所述外部基极层与所述子集电极区域之间垂直延伸的隔离区域。所述HBT结构还包括覆盖所述内部基极层的一部分的发射极。所述HBT结构还包括电连接到所述子集电极区域的集电极接触。所述集电极接触有利地延伸穿过所述外部基极层的至少一部分。

公开(公告)号：CN105378904A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480038561.9

申请日：2014-06-06

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 梅本康成 ,  黑川敦 ,  西明恒和

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6631

摘要： 本发明涉及半导体装置。在双极晶体管中，集电极层(3)由n型GaAs层(3a)(Si浓度：约5×1015cm-3，膜厚：约350nm)，p型GaAs层(3b)(C浓度：约4.5×1015cm-3，膜厚：约100nm，层浓度：4.5×1010cm-2)以及n型GaAs层(3c)Si浓度：约5×1015cm-3，膜厚：约500nm)三层的半导体层形成。p型GaAs层(3b)的层浓度被设定为比1×1011cm-2低。