公开(公告)号：CN1992337A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610064203.2

申请日：2006-12-22

申请人： 克里公司

发明人： A·K·阿加瓦尔 ,  S·克里什纳斯瓦米 ,  S·-H·刘 ,  D·C·卡佩尔

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/24 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7325

摘要： 双极结型晶体管(BJT)包括：第一导电型的碳化硅(SiC)集电极层，在碳化硅集电极层上第二导电型的外延碳化硅基极层外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台。在碳化硅发射极台外部在外延碳化硅基极层的至少一部分上提供第一导电型的外延碳化硅钝化层。外延碳化硅钝化层可以设置以在零器件偏压时完全耗尽。还公开了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN101283439B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680034131.5

申请日：2006-09-12

申请人： 克里公司

发明人： M·达斯 ,  B·哈尔 ,  S·克里什纳斯瓦米

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： 在碳化硅上形成氧化层的方法，该方法包括在碳化硅层上热生长氧化层，和在大于1175℃温度下，最优选1300℃，包含NO的环境中退火该氧化层。该氧化层可以在碳化硅管中在NO中被退火，该碳化硅管可以用碳化硅进行涂布。为了形成氧化层，初步氧化层可以在干燥O2中在碳化硅层上进行热生长，并且该初步氧化层可以在湿O2中被再氧化。

公开(公告)号：CN101283439A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680034131.5

申请日：2006-09-12

申请人： 克里公司

发明人： M·达斯 ,  B·哈尔 ,  S·克里什纳斯瓦米

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

摘要： 在碳化硅上形成氧化层的方法，该方法包括在碳化硅层上热生长氧化层，和在大于1175℃温度下，最优选1300℃，包含NO的环境中退火该氧化层。该氧化层可以在碳化硅管中在NO中被退火，该碳化硅管可以用碳化硅进行涂布。为了形成氧化层，初步氧化层可以在干燥O2中在碳化硅层上进行热生长，并且该初步氧化层可以在湿O2中被再氧化。