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公开(公告)号：CN107768437A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711017439.5
申请日：2017-10-26
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及一种用于压接式IGBT器件正面电极加工的基片，其包括能键合于压接式IGBT晶圆上方连接金属电极层的基片体，所述基片体的形状与压接式IGBT晶圆相一致，基片体上设有金属淀积图形，基片体键合于连接金属电极层上后，利用基片体的金属淀积图形能在连接金属电极层上方进行金属电极，并在基片体与连接金属电极层分离后，在连接金属电极层上得到与所述连接金属电极层电连接的压接金属电极层。本发明结构紧凑，能有效实现压接式IGBT器件正面上第二层金属电极的制备，可以省掉压接式IGBT器件正面第二层金属电极的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。
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公开(公告)号：CN109216472A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810990583.5
申请日：2018-08-28
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。
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公开(公告)号：CN107706109A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711017441.2
申请日：2017-10-26
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种RC-IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC-IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC-IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC-IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107644903B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710827906.4
申请日：2017-09-14
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/10
摘要： 本发明涉及一种具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法，其元胞区内的元胞包括两个相邻的元胞沟槽，所述两相邻元胞沟槽相邻外侧壁上方设置第二导电类型第一体区，所述第二导电类型第一体区与相应元胞沟槽的侧壁接触，所述两相邻元胞沟槽间相互远离的外侧壁上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应的元胞沟槽侧壁接触，在制作第二导电类型第一体区时，只需要对第一导电类型源区注入的光刻版进行调整即可，在不影响IGBT器件的耐压和寄生电容情况下，降低沟槽栅IGBT的沟道密度，降低饱和电流，有效提高沟槽栅IGBT器件的抗短路能力，结构紧凑，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107799416A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711012160.8
申请日：2017-10-26
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种RC-IGBT器件的背面加工方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆，并将RC-IGBT晶圆的背面减薄至所需的厚度；步骤2、对RC-IGBT晶圆背面进行P型杂质离子注入；步骤3、将注入基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面；步骤4、将N型杂质离子注入到RC-IGBT晶圆的背面；步骤5、将注入基片与RC-IGBT晶圆的背面分离，并激活RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子与N型杂质离子；步骤6、对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107634095A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710828440.X
申请日：2017-09-14
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种沟槽型半导体功率器件及其制备方法，其半导体基板包括第一导电类型基区，所述元胞区采用沟槽结构，元胞沟槽设置于第一导电类型基区内，元胞沟槽内设置沟槽栅结构；在每个元胞沟槽的槽底外均设置第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层包覆元胞沟槽的槽底；在每个元胞沟槽下部的外侧均设置第一导电类型浮空层，第一导电类型浮空层位于第一导电类型基区内，所述第一导电类型浮空层包裹第二导电类型浮空层以及元胞沟槽的下部，第二导电类型浮空层与第一导电类型浮空层以及元胞沟槽的槽底外壁邻接。本发明在较小的元胞尺寸下，仍同时具备较好的击穿特性和正向导通的特性，具有较宽的短路安全工作区，与现有半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN107403834A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710827889.4
申请日：2017-09-14
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/1095
摘要： 本发明涉及一种具有软关断特性的FS型IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有软关断特性的FS型IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及位于第一导电类型衬底背面的第一导电类型场截止层，在第一导电类型衬底的正面设置IGBT正面元胞；在第一导电类型场截止层上设置第二导电类型集电区；在第一导电类型衬底内设置用于在关断时能增加载流子数量的高电离率区域，高电离率区域的导电类型呈第一导电类型，所述高电离率区域位于第一导电类型衬底内的下部且高电离率区域靠近第二导电类型集电区。本发明结构紧凑，使得FS型IGBT器件具有软关断特性，在高压大功率工作时可有效降低EMI震荡，提高使用的稳定性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN107706109B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201711017441.2
申请日：2017-10-26
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC‑IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC‑IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC‑IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC‑IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107644903A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710827906.4
申请日：2017-09-14
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/10
摘要： 本发明涉及一种具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法，其元胞区内的元胞包括两个相邻的元胞沟槽，所述两相邻元胞沟槽相邻外侧壁上方设置第二导电类型第一体区，所述第二导电类型第一体区与相应元胞沟槽的侧壁接触，所述两相邻元胞沟槽间相互远离的外侧壁上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应的元胞沟槽侧壁接触，在制作第二导电类型第一体区时，只需要对第一导电类型源区注入的光刻版进行调整即可，在不影响IGBT器件的耐压和寄生电容情况下，降低沟槽栅IGBT的沟道密度，降低饱和电流，有效提高沟槽栅IGBT器件的抗短路能力，结构紧凑，与现有工艺兼容，安全可靠。
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公开(公告)号：CN107579057A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710827886.0
申请日：2017-09-14
申请人： 全球能源互联网研究院 , 江苏中科君芯科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L29/739
摘要： 本发明涉及一种IGBT版图，尤其是一种能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，包括半导体基板，在半导体基板的中心区设置元胞区域以及位于所述元胞区域外圈的终端区域，元胞区域上方设置源极金属以及与所述源极金属电连接的源极压焊点；还包括用于将终端区域基区引出的辅助测试压焊点，所述辅助测试压焊点位于终端区域上方。本发明结构紧凑，能有效进行终端横向耐压测试，有利于确定IGBT耐压不足的状况。
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