一种逆变器
    2.
    发明公开
    一种逆变器 审中-实审

    公开(公告)号:CN109842310A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201910153544.4

    申请日:2019-02-28

    IPC分类号: H02M7/537 H02M3/158

    摘要: 本发明涉及电力电子技术领域,具体涉及一种逆变器,包括:第一DC-DC变换模块,具有串联的第一开关管以及第二开关管、至少一组升压电路以及谐振电感;其中升压电路具有依次串联的第一二极管、第二二极管以及第一电容,第一二极管与第二二极管之间连接有第二电容,第二电容的另一端接入第一开关管与第二开关管之间,第一二极管的另一端与第一开关管的第一端连接,第一电容的另一端与第二开关管的第二端连接;谐振电感的一端接入第一开关管与第二开关管之间,另一端与各升压电路中的第二电容连接;至少两个逆变模块,分别与各升压电路的第一电容和/或第二电容并联。经过变换模块使输入电压等级抬升,结合多路逆变器输出,使逆变器输出不同等级电压。

    一种应用于CLLC直流变压器参数设计方法及系统

    公开(公告)号:CN114531039A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202210172906.6

    申请日:2022-02-24

    IPC分类号: H02M3/335 G06F30/30

    摘要: 本发明提供的一种应用于CLLC直流变压器参数设计方法及系统,该方法包括:获取CLLC直流变压器各参数设计偏离值;基于各参数设计偏离值,获取多组参数设计初始值;根据多组参数设计初始值及预设函数表达式,计算得到CLLC直流变压器的初始电感比;基于初始电感比,确定电感比选取区间;基于电感比选取区间,选取多个电感比,将多个电感比分别带入预设函数表达式中,得到多个电感比各自对应的品质因数;基于CLLC直流变压器电压增益的变化趋势,选取电感比及品质因数。将元器件偏差作为考虑因素,得到品质因数与电感比值的约束条件,使得当谐振电感和谐振电容偏离设计值时,输出的电压仍在满足设计要求的范围之内。

    一种电源复合取能电路及静止同步串联补偿装置

    公开(公告)号:CN110890794A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201911166040.2

    申请日:2019-11-25

    IPC分类号: H02J50/10 H02J7/34 H02J3/06

    摘要: 本发明公开一种电源复合取能电路及静止同步串联补偿装置,其中电源复合取能电路包括:取能电源;电流取能互感器,分别与取能电源连接;第一泄放电阻,第二泄放电阻,可控开关器件,开关互锁电路,开关互锁电路分别与取能绕组和第二泄放电阻连接;电源接口,分别与开关互锁电路和可控开关器件;电源充电模块,与第二泄放电阻、开关互锁电路和电源接口连接;第一直流电压隔离模块,与电源充电模块连接;第二直流电压隔离模块,通过电源接口与可控开关器件连接;电源放电模块,与第一直流电压隔离模块连接。本发明通过上述电路结构可以提供电压、电流两种不同的复合取能方式,实现在电流与电压之间自动平滑切换,避免过电压现象发生,确保电路安全。

    一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114564906A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210173729.3

    申请日:2022-02-24

    IPC分类号: G06F30/367 G06F111/10

    摘要: 本发明公开了一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统,方法包括:采用等效电路建模方法构建SiC MOSFET器件的动静态模型原理图;根据测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取;根据测试数据中电容‑漏源电压特性,对电容参数进行拟合提取;根据测试数据中体二极管特性,对体二极管参数进行拟合提取;对进行参数拟合提取后的动静态模型进行仿真测试,并根据仿真测试结果,判断当前模型拟合度是否符合要求,若不符合要求,则返回“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取”的步骤,直至仿真测试结果符合要求为止,从而针对SiC MOSFET特性构建较为准确的仿真模型,来描述器件物理特性,指导高压SiC MOSFET在工程中的应用。

    一种有源钳位保护电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114069562A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111368143.4

    申请日:2021-11-18

    IPC分类号: H02H7/12

    摘要: 本发明提供的一种有源钳位保护电路,包括:待保护器件、钳位电路及下拉电路,其中,待保护器件的漏极与钳位电路的一端连接,待保护器件的栅极分别与外部控制电路及下拉电路的第一端连接,待保护器件的源极与下拉电路的第二端连接后接地,下拉电路的控制端与钳位电路的另一端连接;通过设置钳位电路及下拉电路,在待保护器件漏源极两端电压超过预设阈值时,触发钳位电路导通,吸收漏源极间峰值电压,并控制下拉电路导通,下拉电路将待保护器件的栅极电压拉低,强行关断待保护器件。既降低了待保护器件两端电压尖峰,又可以避免由于有源钳位动作导致待保护器件二次导通。

    一种中继式无线送能装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111030310A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911353688.0

    申请日:2019-12-25

    IPC分类号: H02J50/10 H02J50/50

    摘要: 本发明提供一种中继式无线送能装置,包括发送模块、中继模块和接收模块;发送模块、中继模块和接收模块依次排列,且均包括线圈和补偿回路;发送模块、中继模块和接收模块均通过线圈实现能量的无线传输,提高了绝缘水平,减少了局部放电的情况,无线送能装置连接的负载之间相互独立,不容易导致供电故障;发送模块、中继模块和接收模块之间通过线圈之间磁耦合的非接触方式实现能量传输,传输效率高,且保证了体积的紧凑性和良好的电磁兼容性;在给电力电子设备中的门极驱动电路提供可靠供电的同时,利用空气绝缘的方式实现低成本的高压绝缘;本发明中的补偿回路用于补偿线圈的感性无功,从而保证装置整体的功率因数和能量传输效率。

    一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路

    公开(公告)号:CN111614234A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010459824.0

    申请日:2020-05-27

    IPC分类号: H02M1/08 H02M1/088 H02M1/32

    摘要: 本发明属于电力电子器件的驱动技术领域,具体提供一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路,所述桥臂串扰抑制电路连接于主电路中碳化硅MOSFET的栅极、源极之间,包括:驱动信号放大电路、负压产生电路和RC电位延迟电路其中,所述负压产生电路用于产生负电压、以防止主电路中碳化硅MOSFET误导通,所述RC电位延迟电路用于抬升主电路中碳化硅MOSFET的栅极与源极之间的负向关断电压,以防止主电路中碳化硅MOSFET反向击穿。本发明利用无源器件实现负压关断,并防止因桥臂正向串扰导致开关管的误导通;同时利用RC电位延迟电路实现多电平驱动控制信号的功能,防止因桥臂负向串扰导致开关管的栅源极击穿。

    逆变器及其控制方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109842312A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201910153548.2

    申请日:2019-02-28

    IPC分类号: H02M7/5387 H02M3/07

    摘要: 本发明涉及电子电路技术领域,具体涉及逆变器及其控制方法,逆变器包括:DC-DC变换模块;逆变模块,与所述DC-DC变换模块串联,所述逆变模块包括至少两组并联的储能单元以及逆变电路;其中,所述储能单元具有第一开关管、第二开关管以及第一电容;所述第一开关管与所述第一电容并联,所述第二开关管与并联后的所述第一开关管以及所述第一电容串联,所述第一开关管的第一端以及所述第二开关管的第二端分别与所述DC-DC变换模块的输出端连接,所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端连接。在逆变模块之前通过DC-DC变换模块提高逆变器的输入电压等级,再结合逆变模块中的储能单元进一步提高逆变器的输入电压等级,使得逆变器的输出电压具有宽范围的增益。