一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN108226826A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711310589.5

    申请日:2017-12-11

    IPC分类号: G01R33/12 G01R33/02

    摘要: 本发明提供了一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法,该单片磁导计包括:U型双磁轭、框架、初级绕组、H线圈对、次级绕组,其中,框架位于U型双磁轭之间;初级绕组分布于框架上;待测试样设置于框架中,H线圈对位于待测试样下方;次级绕组位于初级绕组内部,次级绕组包括分别绕制的三个子绕组:左侧绕组、中间绕组、右侧绕组,左侧绕组、中间绕组和右侧绕组分别设有输入端口和输出端口,通过接入不同子绕组的输入端口及输出端口,选择接入左侧绕组、中间绕组、右侧绕组中的一个或多个。通过实施本发明,提高了待测试样磁场强度测量的准确性;可以测量待测试样不同区域的磁性能参数,提高了适应性,操作简单方便。

    一种变压器铁芯损耗分布的测量系统及方法

    公开(公告)号:CN108918978A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810455880.X

    申请日:2018-05-14

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明提供一种变压器铁芯损耗分布的测量系统及测量方法,该系统包括:处理器,分别与数据采集装置和定位装置连接,用于控制数据采集装置输出预设频率的交流电压信号,将该信号作为励磁信号传输至待测变压器铁芯上的励磁绕组,并控制定位装置按照用户输入的控制指令进行移动;磁场传感器设置于定位装置上,用于测量待测变压器铁芯根据励磁信号在各待测位置产生的磁场传感信号,并将磁场传感信号通过数据采集装置发送至处理器来分别计算各待测位置的比总损耗,处理器根据各待测位置比总损耗生成待测变压器铁芯损耗分布测量结果。通过实施本发明,能够实现基于实际测量得到的信号数据分析得到变压器铁芯损耗分布,提高了分析结果的准确性和有效性。

    一种换流阀用饱和电抗器损耗分离方法及装置

    公开(公告)号:CN111581864B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202010367886.9

    申请日:2020-04-30

    IPC分类号: G06F30/23

    摘要: 本发明提供了一种换流阀用饱和电抗器损耗分离方法及装置,其中,该方法包括:获取任意一个铁心在一个预设时间周期内的磁通密度波形;建立铁心损耗试验模型,铁心损耗试验模型包括单个铁心、励磁线圈、测量线圈;根据磁通密度波形、铁心的有效横截面积、励磁线圈的匝数计算预设时间周期内励磁线圈的激励电压;向励磁线圈施加激励电压,获取励磁线圈的电流和测量线圈的电压;由励磁线圈的电流和测量线圈的电压测得单个铁心的损耗;利用单个铁心的损耗以及换流阀用饱和电抗器中铁心的数量计算总铁心损耗;获取换流阀用饱和电抗器在脉冲合成工况下的总损耗测量值;由总损耗测量值与总铁心损耗的差,得到换流阀用饱和电抗器的线圈损耗。

    一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN108226826B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201711310589.5

    申请日:2017-12-11

    IPC分类号: G01R33/12 G01R33/02

    摘要: 本发明提供了一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法,该单片磁导计包括:U型双磁轭、框架、初级绕组、H线圈对、次级绕组,其中,框架位于U型双磁轭之间;初级绕组分布于框架上;待测试样设置于框架中,H线圈对位于待测试样下方;次级绕组位于初级绕组内部,次级绕组包括分别绕制的三个子绕组:左侧绕组、中间绕组、右侧绕组,左侧绕组、中间绕组和右侧绕组分别设有输入端口和输出端口,通过接入不同子绕组的输入端口及输出端口,选择接入左侧绕组、中间绕组、右侧绕组中的一个或多个。通过实施本发明,提高了待测试样磁场强度测量的准确性;可以测量待测试样不同区域的磁性能参数,提高了适应性,操作简单方便。