-
公开(公告)号：CN110376495A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910671458.2
申请日：2019-07-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 电子科技大学 , 国网北京市电力公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种局部放电检测传感器及其制造方法，局部放电检测传感器包括：第一半环磁芯件；第二半环磁芯件，与所述第一半环磁芯件对应设置，以环绕在待测元件周向方向；所述第一半环磁芯件和/或所述第二半环磁芯件包括至少两个连接在一起的磁芯分块。通过至少两个连接在一起的磁芯分块构成第一半环磁芯件和/或所述第二半环磁芯件，以解决现有技术中用于横截面直径较大待测设备的局部放电检测传感器，其难以生产制造，具有生产使用成本高、难以实现批量生产，甚至无法生产制造的问题。
-
公开(公告)号：CN111289864B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010255604.6
申请日：2020-04-02
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司 , 国网天津市电力公司 , 电子科技大学 , 国网冀北电力有限公司固安县供电分公司
发明人： 钱森 , 陈川 , 刘昕 , 孙科 , 任志刚 , 吴麟琳 , 孙亮 , 刘国军 , 郭经红 , 邢照亮 , 刘弘景 , 魏占朋 , 方静 , 林国洲 , 丁彬 , 余忠 , 兰中文 , 李广宇
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开一种局部放电高频电流抗干扰检测系统及方法，该系统包括信号发生装置，用于输出高频电流信号，高频电流信号包括局部放电高频电流信号与干扰信号；参考信号发生装置，用于输出幅值、频率和相位与干扰信号均相等的参考信号；抵消装置，用于根据高频电流信号与参考信号滤除高频电流信号中的干扰信号，得到局部放电高频电流信号。通过实施本发明，能够根据信号发生装置产生的高频电流信号，通过参考信号发生装置主动生成一路与干扰信号同频率同相位的参考信号，通过抵消装置与叠加了干扰信号的局部放电高频电流信号进行差分运算，实现干扰信号的消除，能够降低运算复杂度、提高干扰信号的滤除效率。
-
公开(公告)号：CN113149630B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110378103.1
申请日：2021-04-08
申请人： 电子科技大学 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种高磁导率高Bs高Tc的MnZn铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。包括主料和掺杂剂，主料：51.5～53.5mol％Fe2O3、16～21mol％ZnO、25.5～32.5mol％MnO，掺杂剂：0.001～0.05wt％Cu2V2O7，0.001～0.05wt％Bi2O3，0.001～0.05wt％Sb2O5，0.001～0.08wt％P2O5，0.001～0.05wt％Nb2O5，0.001～0.1wt％MoO3。本发明得到的MnZn铁氧体兼具高μi(≥10000)、高Bs(≥500mT)以及高Tc(≥160℃)。
-
公开(公告)号：CN113149630A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110378103.1
申请日：2021-04-08
申请人： 电子科技大学 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种高磁导率高Bs高Tc的MnZn铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。包括主料和掺杂剂，主料：51.5～53.5mol％Fe2O3、16～21mol％ZnO、25.5～32.5mol％MnO，掺杂剂：0.001～0.05wt％Cu2V2O7，0.001～0.05wt％Bi2O3，0.001～0.05wt％Sb2O5，0.001～0.08wt％P2O5，0.001～0.05wt％Nb2O5，0.001～0.1wt％MoO3。本发明得到的MnZn铁氧体兼具高μi(≥10000)、高Bs(≥500mT)以及高Tc(≥160℃)。
-
公开(公告)号：CN111289864A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010255604.6
申请日：2020-04-02
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司 , 国网天津市电力公司 , 电子科技大学 , 国网冀北电力有限公司固安县供电分公司
发明人： 钱森 , 陈川 , 刘昕 , 孙科 , 任志刚 , 吴麟琳 , 孙亮 , 刘国军 , 郭经红 , 邢照亮 , 刘弘景 , 魏占朋 , 方静 , 林国洲 , 丁彬 , 余忠 , 兰中文 , 李广宇
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开一种局部放电高频电流抗干扰检测系统及方法，该系统包括信号发生装置，用于输出高频电流信号，高频电流信号包括局部放电高频电流信号与干扰信号；参考信号发生装置，用于输出幅值、频率和相位与干扰信号均相等的参考信号；抵消装置，用于根据高频电流信号与参考信号滤除高频电流信号中的干扰信号，得到局部放电高频电流信号。通过实施本发明，能够根据信号发生装置产生的高频电流信号，通过参考信号发生装置主动生成一路与干扰信号同频率同相位的参考信号，通过抵消装置与叠加了干扰信号的局部放电高频电流信号进行差分运算，实现干扰信号的消除，能够降低运算复杂度、提高干扰信号的滤除效率。
-
公开(公告)号：CN210534264U
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201921177091.0
申请日：2019-07-24
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 电子科技大学 , 国网北京市电力公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种局部放电检测传感器，包括：第一半环磁芯件；第二半环磁芯件，与所述第一半环磁芯件对应设置，以环绕在待测元件周向方向；所述第一半环磁芯件和/或所述第二半环磁芯件包括至少两个连接在一起的磁芯分块。通过至少两个连接在一起的磁芯分块构成第一半环磁芯件和/或所述第二半环磁芯件，以解决现有技术中用于横截面直径较大待测设备的局部放电检测传感器，其难以生产制造，具有生产使用成本高、难以实现批量生产，甚至无法生产制造的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN109245019A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811158539.4
申请日：2018-09-30
IPC分类号： H02G15/00 , H02G15/068 , H02G15/188 , G01R31/12
CPC分类号： H02G15/00 , G01R31/1272 , H02G15/068 , H02G15/188
摘要： 本发明提出了一种中压交联电缆抗水树性能鉴定试验终端电应力控制片，包括：粘贴面和正面层，粘贴面包括以下重量份的成分：乙丙橡胶100份、聚氯乙烯30-70份、增强树脂10-15份、耐磨炭黑10-50份、纳米氧化铁100-750份、聚异丁烯高聚物100-150份；所述正面层包括以下重量份的成分：低密度聚乙烯10-80份、抗氧化剂10份、环氧树脂20-40份。本发明以橡胶为基本材料的电应力控制片，主要用于中压交联电缆抗水树性能鉴定试验的电缆终端上，起到改善终端电场分布的作用。相比现有的应力控制方式，具有使用方便，能够适应长期老化环境，可靠性高，可大大提高中压交联电缆抗水树性能鉴定试验的可靠性，降低试验环境造成的误差。
-
公开(公告)号：CN117677265A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311525476.2
申请日：2023-11-16
申请人： 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要： 本发明公开了一种具有层错阵列结构的n型Bi2Te3基材料的制备方法，包括如下步骤：将n型Bi2Te3基粉体材料与Ag基化合物助剂混合均匀，然后在真空条件下进行加压烧结。本发明向n型Bi2Te3基材料中引入Ag基化合物助剂，通过助剂分解并进入层间诱导产生层错，烧结后形成的层错呈高密度状态阵列分布，可有效散射中频声子，优化材料的热电性能；同时形成的层错阵列可导致较高的极限剪切强度，提升其力学性能；可为n型Bi2Te3基材料的结构设计及性能调控提供一种新思路。
-
公开(公告)号：CN109245019B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201811158539.4
申请日：2018-09-30
IPC分类号： H02G15/00 , H02G15/068 , H02G15/188 , G01R31/12
摘要： 本发明提出了一种中压交联电缆抗水树性能鉴定试验终端电应力控制片，包括：粘贴面和正面层，粘贴面包括以下重量份的成分：乙丙橡胶100份、聚氯乙烯30‑70份、增强树脂10‑15份、耐磨炭黑10‑50份、纳米氧化铁100‑750份、聚异丁烯高聚物100‑150份；所述正面层包括以下重量份的成分：低密度聚乙烯10‑80份、抗氧化剂10份、环氧树脂20‑40份。本发明以橡胶为基本材料的电应力控制片，主要用于中压交联电缆抗水树性能鉴定试验的电缆终端上，起到改善终端电场分布的作用。相比现有的应力控制方式，具有使用方便，能够适应长期老化环境，可靠性高，可大大提高中压交联电缆抗水树性能鉴定试验的可靠性，降低试验环境造成的误差。
-
公开(公告)号：CN117677264A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311525473.9
申请日：2023-11-16
申请人： 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要： 本发明的主要目的在于提供一种p型Bi2Te3基材料中位错阵列的调控方法，包括如下步骤：将p型Bi2Te3基粉体材料与低熔点第二相粉体混合均匀，然后在真空条件下，进行加压烧结，得到具有位错阵列的p型Bi2Te3基材料。本发明通过向p型Bi2Te3基粉体材料中加入少量低熔点第二相粉体，在烧结过程中，第二相形成液相并不断在晶界部位析出，并促进在所得p型Bi2Te3基材料中形成位错阵列。本发明所得多晶p型Bi2Te3基材料中的位错呈高密度状态的阵列分布，具有高的织构和低的晶格热导率，同时由于位错的规律分布，可兼具优异的力学性能，可为p型Bi2Te3基材料热电性能和力学性能的协同优化提供一种新思路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
136 条记录 (耗时 0.112 秒)
