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公开(公告)号：CN117677265A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311525476.2
申请日：2023-11-16
申请人： 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要： 本发明公开了一种具有层错阵列结构的n型Bi2Te3基材料的制备方法，包括如下步骤：将n型Bi2Te3基粉体材料与Ag基化合物助剂混合均匀，然后在真空条件下进行加压烧结。本发明向n型Bi2Te3基材料中引入Ag基化合物助剂，通过助剂分解并进入层间诱导产生层错，烧结后形成的层错呈高密度状态阵列分布，可有效散射中频声子，优化材料的热电性能；同时形成的层错阵列可导致较高的极限剪切强度，提升其力学性能；可为n型Bi2Te3基材料的结构设计及性能调控提供一种新思路。
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公开(公告)号：CN117677264A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311525473.9
申请日：2023-11-16
申请人： 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要： 本发明的主要目的在于提供一种p型Bi2Te3基材料中位错阵列的调控方法，包括如下步骤：将p型Bi2Te3基粉体材料与低熔点第二相粉体混合均匀，然后在真空条件下，进行加压烧结，得到具有位错阵列的p型Bi2Te3基材料。本发明通过向p型Bi2Te3基粉体材料中加入少量低熔点第二相粉体，在烧结过程中，第二相形成液相并不断在晶界部位析出，并促进在所得p型Bi2Te3基材料中形成位错阵列。本发明所得多晶p型Bi2Te3基材料中的位错呈高密度状态的阵列分布，具有高的织构和低的晶格热导率，同时由于位错的规律分布，可兼具优异的力学性能，可为p型Bi2Te3基材料热电性能和力学性能的协同优化提供一种新思路。
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公开(公告)号：CN117452154A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311403219.1
申请日：2023-10-26
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本申请公开了一种局部放电数据的处理方法及装置、存储介质和电子设备。涉及电力系统技术领域，该方法包括：通过目标传感器对目标开关柜中局部放电产生的数据进行检测，得到目标数据信息；依据目标数据信息进行计算，得到目标开关柜对应的目标功率数据，其中，目标功率数据至少包括：光辐射的第一目标功率，电磁辐射的第二目标功率以及声辐射的第三目标功率；依据目标检测曲线、目标功率数据，对目标开关柜中的局部放电强度进行检测，得到检测结果。通过本申请，解决了相关技术中通过测量开关柜中局部放电的放电脉冲幅值确定局部放电强度，导致确定局部放电强度的准确性比较低的问题。
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公开(公告)号：CN116089882A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211735073.6
申请日：2022-12-30
IPC分类号： G06F18/2431 , G01R31/12 , G06F18/241 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06N3/045 , G06N3/0442 , G06N3/0499 , G06N3/048 , G06N3/084
摘要： 本发明公开了一种电缆故障预测处理方法、装置及电子设备。其中，该方法包括：获取高压电缆的局部放电特征数据；将局部放电特征数据中的第一训练集数据分别输入至初始径向基函数网络模型和初始长短时记忆网络模型进行训练；将局部放电特征数据中的第一测试集数据分别输入至训练后的径向基函数网络模型，以及训练后的长短时记忆网络模型，得到训练后的径向基函数网络模型输出的第一输出结果，以及训练后的长短时记忆网络模型输出的第二输出结果；基于第一输出结果和第二输出结果，确定电缆故障预测模型。本发明解决了由于相关技术中存在的电缆故障预测模型性能较差，导致的电缆故障预测效率低且预测准确度差的技术问题。
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公开(公告)号：CN115549322A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210881167.8
申请日：2022-07-25
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种一种双磁场取能传感器及其升压变换器、控制方法及装置，该变换器包括：电容和两个升压电路，每个升压电路包括依次连接的磁场取能源、输入电感、开关管和二极管；两个升压电路并联连接后和电容的一端以及外部负载连接，电容的另一端接地。通过实施本发明，两个磁场取能源能够实现对更款频带范围内电磁能量的收集需求，提高了电磁能量的收集效率，从而解决了电磁能量偏低时采用目前的能量收集电路收集效率较低的问题。同时，该控制方法通过阻抗匹配确定的占空比对开关管进行调节，实现了源端到电路的最大功率传输；此外，能够降低输入电流的纹波，减小输入电感体积和升压变换器体积；并且使得电路损耗减小，提高变换器的效率。
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公开(公告)号：CN113471925B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110741198.9
申请日：2021-06-30
摘要： 本发明提供了一种电缆接头，电缆接头用于连接相邻两段电缆，电缆接头包括：电缆接头主体，电缆接头主体包括屏蔽罩，屏蔽罩套设在相邻两段电缆的线芯的外侧；测温装置，测温装置包括测温传感器，测温传感器设置在屏蔽罩内，测温传感器的检测探头与线芯接触，以检测相应的线芯的温度。本发明的电缆接头解决了现有技术中的在不影响电缆接头电气性能的情况下，无法精确测量电缆运行状态的参数的问题。
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公开(公告)号：CN114970433A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210902935.3
申请日：2022-07-29
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： G06F30/373 , G06F30/367 , H02J50/12 , H01F41/00 , H01F27/24 , H01F27/245 , H01F38/14 , G06F119/06
摘要： 本发明提供的一种非侵入式磁场取能装置及输出功率提升方法，该输出功率提升方法包括：构建非侵入式磁场取能装置功率密度评估模型，非侵入式磁场取能装置包括磁芯及缠绕在磁芯上的取能线圈；将非侵入式磁场取能装置功率密度评估模型进行函数求导，得到功率密度关于磁芯的叠片边长与磁柱直径比例关系的导函数；根据导函数求解叠片边长与磁柱直径的最优比例；根据最优比例设计非侵入式磁场取能装置。在构建非侵入式磁场取能装置功率密度评估模型的基础上，通过设计叠片边长与磁柱直径间最优比例系数，有效提高了非侵入式磁场取能的功率密度。
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公开(公告)号：CN112484843A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011325827.1
申请日：2020-11-23
摘要： 本发明公开了一种变电站的状态分析方法及装置、电子设备。其中，该方法包括：采集变电站在运行过程中的运行声音信号；基于运行声音信号，分析变电站中多个设备组件的声音特征图谱的图谱特征；基于声音特征图谱的图谱特征，确定变电站中多个设备组件的运行状态。本发明解决了相关技术中通过人工来检测变电站内的部件是否出现故障的手段，检测效率低且存在安全风险的技术问题。
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公开(公告)号：CN117452155A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311406047.3
申请日：2023-10-26
IPC分类号： G01R31/12 , G06T7/00 , G06T7/73 , G06V10/40 , G06V10/74 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06F18/22 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/0475
摘要： 本发明公开了一种电缆放电位置的定位方法、装置、存储介质及电子设备。其中，该方法包括：将S个电流脉冲信号分别转换为脉冲图像，得到第一图像集合，其中，电流脉冲信号包括：待检测放电位置的电缆的电流脉冲信号；将第一图像集合中的脉冲图像输入特征提取模型，输出第二图像集合，其中，特征提取模型至少包括：目标注意力模块和特征融合结构；将第二图像集合中的图像输入特征融合模型，输出特征集合；基于特征集合中的特征向量，确定电缆的放电位置。本发明解决了相关技术中对电缆局部放电的位置进行定位的精准度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN116342663A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211415297.9
申请日：2022-11-11
摘要： 本发明公开了一种图像特征点的匹配方法、装置及非易失性存储介质。其中，该方法包括：采用角点检测算法获取目标红外图像的第一特征点集合，及目标可见光源图像的第二特征点集合；根据第一特征点集合和第二特征点集合，采用杰卡德距离方法，得到第一匹配对集合；基于第一特征点与对应的第一匹配点之间连线的斜率和长度，确定第二匹配对集合；确定第二匹配对集合中第三特征点的第一主方向，以及对应第二匹配点的第二主方向；基于第一主方向与第二主方向之间的方向差，确定特征点匹配结果。本发明解决了由于存在设备装配差异以及拍摄时间、距离和视角不同等客观因素，造成的图像特征点误匹配概率大，图像匹配准确性低的技术问题。
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