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公开(公告)号：CN111378453A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911380289.3
申请日：2019-12-27
Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111378453B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201911380289.3
申请日：2019-12-27
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。
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公开(公告)号：CN110462799B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201880020746.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。
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公开(公告)号：CN118613769A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380016826.4
申请日：2023-01-20
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性，即使是含有少量水的组成，水蒸发时剥离性降低也较少，且能够抑制Cu或Al及Si等与液体接触的基板构成金属的腐蚀的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物，组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)糖醇、(C)胺、(D)水、(E)DMSO和(F)乙二醇，(D)水的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％，通过该组合物实现上述课题。
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公开(公告)号：CN118591777A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380016827.9
申请日：2023-01-20
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性，能够抑制Cu及Al等与液体接触的基板构成金属的腐蚀，并抑制剥离过程中Cu等金属的过度的氧化的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物，组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)二乙二醇单乙醚、(C)甘油和(D)水，(A)的含量相对于组合物的总质量为0.5～5质量％，(B)的含量相对于组合物的总质量为50～95质量％，(C)的含量相对于组合物的总质量为0.5～20质量％，(D)的含量相对于组合物的总质量小于20质量％，通过所述组合物实现上述课题。
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公开(公告)号：CN110462799A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020746.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。
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