公开(公告)号：CN111378453B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201911380289.3

申请日：2019-12-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  清水寿和 ,  中村伸宏 ,  増茂邦雄 ,  渡边晓

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C23F1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。

公开(公告)号：CN102618872A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210013092.8

申请日：2012-01-17

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大城研二 ,  河野良 ,  高桥秀树

IPC: C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18

Abstract: 本发明提供一种可以对含铜和铜合金薄膜的金属层积膜图案进行精度良好的加工、可以形成优异的图案形状、并且实用性优异的稳定的液体寿命长的蚀刻液组合物，以及提供使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明涉及使用具有特定组成的、配合磷酸、硝酸、醋酸和水而成的蚀刻液组合物对具有由铜形成的层和由含铜的铜合金形成的层的金属层积膜进行蚀刻的方法、以及其蚀刻液组合物。

公开(公告)号：CN1847457B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610075444.7

申请日：2006-04-14

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  黑岩健次 ,  加藤胜

IPC: C23F1/14

Abstract: 本发明目的在于抑制将有贵金属和贱金属共存的半导体材料上的贵金属进行蚀刻时的贱金属发生腐蚀的问题，并提高成品率。本发明提供一种蚀刻液，其与以氰化物和铅化合物为成分的水溶液相比，安全性优异且对环境的影响少。本发明的蚀刻液为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液，该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。

公开(公告)号：CN100595894C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200680040225.3

申请日：2006-10-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/40

CPC classification number: C23F1/40 ,  C09K13/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明的蚀刻液是对钯和金共存的材料进行蚀刻的碘系蚀刻液，其含有选自含氮五元环化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亚胺化合物中的至少一种添加剂，对钯和金的蚀刻速率之比(对钯的蚀刻速率/对金的蚀刻速率)为1以上。

公开(公告)号：CN101297396A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200680040225.3

申请日：2006-10-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/40

CPC classification number: C23F1/40 ,  C09K13/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明的蚀刻液是对钯和金共存的材料进行蚀刻的碘系蚀刻液，其含有选自含氮五元环化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亚胺化合物中的至少一种添加剂，对钯和金的蚀刻速率之比(对钯的蚀刻速率/对金的蚀刻速率)为1以上。

公开(公告)号：CN113939899B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202080043042.7

申请日：2020-06-12

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树 ,  荻原艾琳娜 ,  廖本男 ,  吴柏衡 ,  李懿

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明以提供抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂为课题。本发明涉及一种用于抑制氮化钛用蚀刻液组合物中所含的过氧化氢的分解的分解抑制剂，其中，包含选自唑类化合物、氨基羧酸类化合物和膦酸类化合物的至少1种化合物作为有效成分。

公开(公告)号：CN107304476B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201710262809.5

申请日：2017-04-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28

Abstract: 本发明的课题是提供用于蚀刻金属单层膜或金属层叠膜的蚀刻组合物，该组合物实现比以往更好的蚀刻速率，容易控制侧面蚀刻、圆锥角、剖面形状、图案形状，且在保持性能稳定性的同时具有更长的溶液寿命。一种蚀刻组合物，它是用于蚀刻由选自铜、钛、钼和镍的金属或它们的氮化物形成的单层膜，由含有选自铜、钛、钼和镍的1种或2种以上的合金形成的单层膜，或者含1层或2层以上的所述单层膜的层叠膜的蚀刻组合物，其中，包含唑、硝酸、过氧化物和水溶性有机溶剂。

公开(公告)号：CN110462799B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201880020746.5

申请日：2018-03-30

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 佐佐木辽 ,  高桥秀树 ,  横山大雅

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。

公开(公告)号：CN103710704A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310451351.X

申请日：2013-09-27

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 永岛和明 ,  高桥秀树

IPC: C23F1/10

CPC classification number: C09K13/00 ,  C23F1/42 ,  C23F1/44

Abstract: 本发明的目的在于提供一种碘类蚀刻液及蚀刻方法，该蚀刻液能使钯材料的对与钯材料不同的金属材料的蚀刻速率比较高，特别是能使蚀刻液中的有机溶剂的浓度较低。本发明的碘类蚀刻液是用于对钯材料和与钯材料不同的其它金属材料共存的材料进行蚀刻的碘类蚀刻液，所述碘类蚀刻液包含有机溶剂和水溶性高分子化合物，该有机溶剂与水相容。

公开(公告)号：CN102995021A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210330502.1

申请日：2012-09-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高桥秀树

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明的目的在于提供一种蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。所述蚀刻液组合物以良好的精度对含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层的金属层压膜进行蚀刻加工，形成优异的截面形状，并且实用性优异，稳定因而使用期限较长。本发明涉及一种蚀刻液组合物及蚀刻方法。所述蚀刻液组合物用于蚀刻含有铜层以及铜氧化物层和/或铜合金层的金属层压膜，且所述蚀刻液组合物含有0.1～80重量％的过硫酸盐溶液和/或过硫酸溶液、0.1～80重量％的磷酸以及0.1～50重量％的硝酸和/或硫酸，通过进一步添加氯离子和铵离子，能够容易地控制蚀刻率和截面形状。