公开(公告)号：CN119032297A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380033612.8

申请日：2023-05-29

Applicant: 凸版控股株式会社

Inventor： 大久保优

IPC: G01S7/497 ,  G01S17/894

Abstract: 距离图像摄像装置具备：受光部，具有多个像素电路以及像素驱动电路，所述像素电路具备光电转换元件、电荷蓄积部及传送晶体管，所述像素驱动电路在与光脉冲的照射同步的规定的蓄积定时，向所述电荷蓄积部分配并蓄积所述电荷；光源部，照射所述光脉冲；以及距离图像处理部，基于所述电荷蓄积部分别蓄积的电荷量，测定到被摄体的距离，作为测定距离，所述距离图像处理部为，在计测所述距离之前，在不照射所述光脉冲的状态下、且按照与照射所述光脉冲的情况相等的周期以及所述蓄积定时，基于所述电荷蓄积部分别蓄积的干涉电荷量的最大值与最小值的差分，检测干涉光，在检测出所述干涉光的情况下，变更所述光脉冲的照射定时以及所述蓄积定时，测定所述测定距离。

公开(公告)号：CN119032296A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380033615.1

申请日：2023-06-06

Applicant: 凸版控股株式会社

Inventor： 大久保优

IPC: G01S7/4863 ,  G01S17/894 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的目的在于提供抑制电荷的排出、传送的不良的距离图像摄像元件。本发明为一种形成在半导体基板上的距离图像摄像元件(32)，在半导体基板上形成有像素电路(321)，该像素电路(321)至少具备产生电荷的光电转换元件(PD)、蓄积电荷的电荷蓄积部(CS)、设置在从光电转换元件向电荷蓄积部传送电荷的传送路径上的传送MOS晶体管(G)、以及设置在从光电转换元件排出电荷的排出路径上的电荷排出MOS晶体管(GD)，光电转换元件(PD)以俯视时为N边形形状形成在半导体基板上，N为4以上的整数。传送MOS晶体管(G)以及电荷排出MOS晶体管(GD)配置在光电转换元件(PD)中的任意的边上，传送MOS晶体管(G)以及电荷排出MOS晶体管(GD)中的至少一方是与所配置的边平行的方向上的尺寸即宽度尺寸在光电转换元件内随着从边远离而逐渐缩小的前端变细形状。

公开(公告)号：CN119731556A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380048343.2

申请日：2023-07-14

Applicant: 凸版控股株式会社

Inventor： 大久保优 ,  高桥聪

IPC: G01S7/4865 ,  G01S7/497 ,  G01S17/894

Abstract: 一种距离图像摄像装置(1)，具备：光源部(2)，对被摄体(OB)照射光脉冲(PO)；像素(321)，具备产生与所入射的光对应的电荷的光电变换元件(PD)及积蓄电荷的多个电荷积蓄部(CS)；像素驱动电路(323)，在与照射上述光脉冲(PO)的照射定时同步的积蓄定时，对上述电荷积蓄部(CS)分别分配电荷并使其积蓄；以及距离图像处理部(4)，基于在上述电荷积蓄部(CS)中分别积蓄的电荷量，计算出到上述被摄体(OB)的距离；上述距离图像处理部(4)进行上述照射定时与上述积蓄定时的相对的定时关系相互不同的多次测量，基于与在上述多次测量中分别积蓄的电荷量对应的特征量的倾向，计算出到上述被摄体(OB)的距离。

公开(公告)号：CN118843805A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380024287.9

申请日：2023-03-06

Applicant: 凸版控股株式会社

Inventor： 大久保优

IPC: G01S7/4863 ,  G01C3/06 ,  G01S17/89 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供距离图像摄像元件以及距离图像摄像装置，能够在排出电荷时不易产生排出不良。像素电路(321)形成在半导体基板上的距离图像摄像元件(距离图像传感器32)具备：光电转换元件(PD)，产生与从测定对象的空间入射的光对应的电荷；电荷蓄积部(CS1、CS2、CS3、CS4)，蓄积所述电荷；传送晶体管(G1、G2、G3、G4)，设置在从所述光电转换元件向所述电荷蓄积部传送所述电荷的传送路径上；以及电荷排出晶体管(GD1以及GD2)，设置在从所述光电转换元件排出所述电荷的排出路径上。所述光电转换元件(PD)的表面的俯视时的形状为长方形，所述电荷排出晶体管设置有两个(GD1以及GD2)，在俯视时，在将与所述光电转换元件(PD)的长边平行且穿过所述光电转换元件(PD)的中心的轴设为x轴、将与所述光电转换元件(PD)的短边平行且穿过所述光电转换元件(PD)的中心的轴设为y轴时，两个所述电荷排出晶体管(GD1以及GD2)配置在所述y轴上，两个所述电荷排出晶体管(GD1以及GD2)对置地配置在相对于所述x轴呈线对称的位置。