距离图像摄像装置以及距离图像摄像方法

    公开(公告)号:CN119968578A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202280100748.1

    申请日:2022-11-08

    Abstract: 具备:光源部,向测定空间照射光脉冲;受光部,具有像素以及像素驱动电路,上述像素具备产生与入射的光相应的电荷的光电转换元件以及蓄积上述电荷的多个电荷蓄积部,上述像素驱动电路将上述电荷分配并蓄积到各个上述电荷蓄积部;以及距离图像处理部,计算到上述测定空间所存在的被摄体的距离,上述距离图像处理部计算基于蓄积信号中的偏差程度的下限阈值,该蓄积信号是与在当前帧中蓄积于上述电荷蓄积部的电荷量对应的蓄积信号之中的、包含与分别源自上述光脉冲被上述被摄体反射后的反射光以及环境光的电荷量对应的信号的蓄积信号,并且,上述距离图像处理部使用上述蓄积信号和上述下限阈值,控制比上述当前帧在时间上靠后的其他帧中的曝光时间。

    距离图像摄像装置及距离图像摄像方法

    公开(公告)号:CN119731556A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202380048343.2

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 一种距离图像摄像装置(1),具备:光源部(2),对被摄体(OB)照射光脉冲(PO);像素(321),具备产生与所入射的光对应的电荷的光电变换元件(PD)及积蓄电荷的多个电荷积蓄部(CS);像素驱动电路(323),在与照射上述光脉冲(PO)的照射定时同步的积蓄定时,对上述电荷积蓄部(CS)分别分配电荷并使其积蓄;以及距离图像处理部(4),基于在上述电荷积蓄部(CS)中分别积蓄的电荷量,计算出到上述被摄体(OB)的距离;上述距离图像处理部(4)进行上述照射定时与上述积蓄定时的相对的定时关系相互不同的多次测量,基于与在上述多次测量中分别积蓄的电荷量对应的特征量的倾向,计算出到上述被摄体(OB)的距离。

    检测装置
    5.
    发明公开
    检测装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119404104A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202380048003.X

    申请日:2023-06-23

    Abstract: 该检测装置具有:温度调节部,调节流体设备的温度;拍摄部,对流体设备照射激发光,并且,对从流体设备发出的荧光的像进行拍摄;以及输送部,将流体设备向温度调节部以及拍摄部输送,流体设备收容液态试样与检测试剂的混合水溶液,所述液态试样包含靶物质,所述检测试剂与靶物质反应而产生发出荧光的产物,温度调节部具有:加热部,对流体设备进行加热;以及冷却部,对加热后的流体设备进行冷却。

    多层膜以及包装膜
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119365339A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202380046174.9

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 一种多层膜(1),具备:作为基材膜的第1膜(11)、和设置在所述第1膜(11)的一个面上且含有烷氧基硅烷的水解产物和脱水缩合反应产物的涂层(14),在所述涂层(14)的表面,通过飞行时间型二次离子质谱法得到的以总阳离子量标准化而得的SiOH+的量在0.02至0.07的范围内。

    黑矩阵基板及显示装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119213478A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202380040761.7

    申请日:2023-05-02

    Abstract: 提供一种在包括发光元件的显示装置中能够不易产生由杂散光引起的画质的下降的技术。黑矩阵基板(3A)包括:透明基板(31),具有第1主面及第2主面;黑矩阵(32),设在上述第1主面上,具有多个第1贯通孔;树脂层(34),设在上述黑矩阵(32)上,在上述多个第1贯通孔的位置分别具有多个第2贯通孔;以及反射层(35),将上述多个第2贯通孔各自的侧壁至少部分地覆盖,并且在上述树脂层(34)的上表面的位置处至少部分地开口。

    阻气性层叠体、包装膜、包装容器以及包装制品

    公开(公告)号:CN119013139A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202380032788.1

    申请日:2023-04-04

    Inventor: 前田正贵

    Abstract: 阻气性层叠体依次具备:含有树脂的基材层、无机氧化物层、以及阻气性被覆层。阻气性被覆层是组合物的固化产物,组合物包含:水溶性高分子、由下式(1)的硅烷氧基化合物等构成的第1硅化合物、以及由下式(2)的硅烷氧基化合物等构成的第2硅化合物。水溶性高分子与第2硅化合物中的水溶性高分子的比率为55~95质量%,第1硅化合物与第2硅化合物中的第1硅化合物的比率大于0质量%且为89质量%以下。Si(OR1)4···(1)(R2Si(OR3)3)n···(2)(在上式(1)、(2)中,R1、R3表示烷基等,R2表示有机官能团。n表示1以上的整数)。

Patent Agency Ranking