公开(公告)号：CN106298676B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510291873.7

申请日：2015-06-01

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 杨文忠 ,  尹德源 ,  王思婷

IPC分类号： H01L27/11517

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/42324

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：在基底上形成一栅极堆叠结构，其包含一浮动栅、一栅极间介电层、一控制栅、以及一金属层，在栅极堆叠结构上形成一共形衬层，在衬层上覆盖一掩模层，其中掩模层低于金属层使得部分衬层裸露而出，以及进行一氮化步骤将裸露的衬层转化成氮化衬层，使得栅极堆叠结构中至少包含金属层的部分会为氮化衬层所覆盖。

公开(公告)号：CN106298676A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510291873.7

申请日：2015-06-01

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 杨文忠 ,  尹德源 ,  王思婷

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/42324 ,  H01L27/11517

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：在基底上形成一栅极堆叠结构，其包含一浮动栅、一栅极间介电层、一控制栅、以及一金属层，在栅极堆叠结构上形成一共形衬层，在衬层上覆盖一掩模层，其中掩模层低于金属层使得部分衬层裸露而出，以及进行一氮化步骤将裸露的衬层转化成氮化衬层，使得栅极堆叠结构中至少包含金属层的部分会为氮化衬层所覆盖。