公开(公告)号：CN104838315B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201380065075.1

申请日：2013-12-12

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 染谷安信 ,  柄泽凉 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/11 ,  C09D161/12 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/31942

摘要： 提供具有高的干蚀刻耐性、扭曲耐性、耐热性等的用于光刻工序的抗蚀剂下层膜。光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有式(1)的单元结构，式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。

公开(公告)号：CN106298676B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510291873.7

申请日：2015-06-01

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 杨文忠 ,  尹德源 ,  王思婷

IPC分类号： H01L27/11517

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/42324

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：在基底上形成一栅极堆叠结构，其包含一浮动栅、一栅极间介电层、一控制栅、以及一金属层，在栅极堆叠结构上形成一共形衬层，在衬层上覆盖一掩模层，其中掩模层低于金属层使得部分衬层裸露而出，以及进行一氮化步骤将裸露的衬层转化成氮化衬层，使得栅极堆叠结构中至少包含金属层的部分会为氮化衬层所覆盖。

公开(公告)号：CN109166787A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810977212.3

申请日：2018-08-26

申请人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348

摘要： 本发明提供了一种具有较低蚀刻速率的氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法，以具有环形分子结构的环硅烷作为前驱体，与含氮化合物反应沉积到衬底上，形成可流动的硅氮薄膜，经过氧化性气体氧化，得到氧化硅薄膜。本发明形成的氧化硅薄膜的Si-H键密度显著降低，湿蚀刻速率也大大降低，经过高温退火或紫外固化之后，在有图案的硅晶片上，可实现从下至上的、无缝间隙填充；在空白硅晶片上，可形成高质量的氧化硅薄膜；均匀性好，覆盖性能优良。

公开(公告)号：CN103515309B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310204463.5

申请日：2013-05-24

申请人： 意法半导体股份有限公司

发明人： A·米诺蒂 ,  M·M·费拉拉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/78 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开内容涉及倒装芯片电子器件及其生产方法，提出一种用于制作电子器件(100)的集合的方法。该方法包括步骤：提供包括导电材料基板(110，110C，110P)的支撑物(110，110C，110P，120P)，将半导体材料芯片(105)的集合固定到基板的相应部分(110C)上，每个芯片具有第一主表面(110U)和与第一主表面相对的第二主表面(110L)，第一主表面具有至少一个第一传导端子(TS，TG)，第二主表面具有与基板电连接的至少一个第二传导端子(TD)，将包括多个通孔(125CSi，125CDj，125CG)的电绝缘材料绝缘带(120C)固定到每个芯片的主表面，该绝缘带在基板的未被芯片覆盖的另一部分(110P)之上从芯片突出，以及经过通孔中的至少部分暴露所述第一端子的第一集合形成与芯片的每个第一端子的至少一个第一电接触(CSi，CG)并且经过通孔中的至少部分暴露基板的另一部分的第二集合形成与基板的至少一个第二电接触(CDj)。

公开(公告)号：CN105190960B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201380074615.2

申请日：2013-03-12

申请人： 塞克姆公司

发明人： 郝建军 ,  C·S·艾伦

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/62

CPC分类号： H01M4/139 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/62 ,  H01M4/664 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明提供一种用于使氧化物涂层沉积到无机基底上的方法，包括提供含有四烷基铵多氧阴离子和氢氧化锂的水性组合物；使水性组合物与无机基底接触足够的时间以使锂多氧阴离子沉积到无机基底表面上，从而形成初始涂覆的无机基底；以及使所述初始涂覆的无机基底加热足够的时间以将锂多氧阴离子转化为氧化物，从而在无机基底上形成源自多氧阴离子的氧化物涂层。无机基底可以是陶瓷材料或半导体材料、玻璃或其它介电材料，并且陶瓷材料可以是锂离子电池阴极材料。

公开(公告)号：CN107068558A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611129194.0

申请日：2016-12-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 苏盈豪 ,  刘宇伦 ,  张岐康 ,  傅士奇 ,  陈桂顺 ,  徐佩君

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/02318

摘要： 本公开实施例涉及制造半导体元件的方法。此方法包括形成可流动材料层于基板之上。上述基板具第一区域及第二区域。第一区域中可流动材料层的上表面高于第二区域中可流动材料层的上表面。此方法亦包含形成多个沟槽于第一区域中的可流动材料层，并执行退火工艺以回流可流动材料层，其中多个沟槽被可流动材料层填充。

公开(公告)号：CN103187262B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201210577095.4

申请日：2012-12-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。

公开(公告)号：CN106298676A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510291873.7

申请日：2015-06-01

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 杨文忠 ,  尹德源 ,  王思婷

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/42324 ,  H01L27/11517

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，其步骤包含：在基底上形成一栅极堆叠结构，其包含一浮动栅、一栅极间介电层、一控制栅、以及一金属层，在栅极堆叠结构上形成一共形衬层，在衬层上覆盖一掩模层，其中掩模层低于金属层使得部分衬层裸露而出，以及进行一氮化步骤将裸露的衬层转化成氮化衬层，使得栅极堆叠结构中至少包含金属层的部分会为氮化衬层所覆盖。

公开(公告)号：CN103890935B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380003558.9

申请日：2013-04-16

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 小笠原淳 ,  伊东浩二 ,  伊藤一彦 ,  六鎗広野

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/316 ,  H01L23/31 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/24 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/73 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

公开(公告)号：CN102569165B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110424193.X

申请日：2011-12-09

申请人： 诺发系统有限公司

发明人： 拉克什米纳拉亚那·尼塔拉 ,  凯雷纳·香农 ,  内里萨·德拉热 ,  梅加·拉托德 ,  哈拉尔德·特尼耶胡伊斯 ,  巴特·范施拉维迪克 ,  迈克尔·达内克

IPC分类号： H01L21/762 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76224

摘要： 本发明提供用可流动电介质材料来填充间隙的新颖方法。根据各种实施例，所述方法涉及对所述间隙执行表面处理，以增强所述间隙的后续颠倒填充。在某些实施例中，所述处理涉及使所述表面暴露于经活化物质，例如氮、氧和氢中的一者或一者以上的经活化物质。在某些实施例中，所述处理涉及使所述表面暴露于从氮和氧的混合物产生的等离子体。所述处理可实现所述可流动电介质膜的均匀成核，减少成核延迟，增加沉积速率且增强特征到特征填充高度均匀性。