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发明公开
半导体发光装置无效

公开(公告)号：CN101584047A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200680004323.1

申请日：2006-02-07

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 拉亚·夏尔马 , 保罗·摩根·帕蒂森 , 约翰·F·克丁 , 中村修二

IPC: H01L29/22 , H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L33/22 , H01S5/0207 , H01S5/10 , H01S5/1053 , H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管和其制作方法，其中在织构化表面上沉积含铟(In)发光层以及后续装置层。所得装置是无磷光体的白光光源。

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