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公开(公告)号：CN102484047A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037288.X
申请日：2010-08-23
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种通过在空间上限制异质界面周围的错配位错制作的具有驰豫晶格常数的无位错高质量模板。此可用作高In成份装置的模板层。具体来说，本发明制备高质量InGaN模板(In成份约为5％到10％)，且可在这些模板上生长In成份比原本将可能的情况高得多的InGaN量子阱QW(或多量子阱MQW)。
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公开(公告)号：CN102473799A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031095.3
申请日：2010-07-09
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/2018 , H01S5/2031
Abstract: 一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。
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公开(公告)号：CN101138091B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680007694.5
申请日：2006-03-10
Applicant: 加利福尼亚大学董事会 , 独立行政法人科学技术振兴机构
Inventor： 特洛伊·J·贝克 , 本杰明·A·哈斯克尔 , 保罗·T·菲尼 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 詹姆斯·S·斯佩克 , 中村修二
IPC: H01L29/04
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。
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公开(公告)号：CN101138091A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007694.5
申请日：2006-03-10
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 特洛伊·J·贝克 , 本杰明·A·哈斯克尔 , 保罗·T·菲尼 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 詹姆斯·S·斯佩克 , 中村修二
IPC: H01L29/04
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{1011}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。
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公开(公告)号：CN102598270A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049850.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 丹尼尔·B·汤普森 , 雅各布·J·理查森 , 英格丽德·科斯洛 , 河俊硕 , 弗雷德里克·F·兰格 , 斯蒂芬·P·登巴尔斯 , 中村修二
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/288 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及基于III-氮化物的高亮度发光二极管LED，其包括多个由氧化锌ZnO层覆盖的表面，其中所述ZnO层是在低温水性溶液中生长且各自具有(0001)c-定向和为(0001)平面的顶部表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101845670A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010111379.5
申请日：2006-03-10
Applicant: 加利福尼亚大学董事会 , 独立行政法人科学技术振兴机构
Inventor： 特洛伊·J·贝克 , 本杰明·A·哈斯克尔 , 保罗·T·菲尼 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 詹姆斯·S·斯佩克 , 中村修二
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。
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公开(公告)号：CN116075939A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180054832.X
申请日：2021-07-09
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L27/15
Abstract: 公开了一种全透明紫外LED或远紫外LED，其中除了有源区之外的所有半导体层对于在有源区中发射的辐射是透明的。实现本发明的关键技术是透明隧道结，它取代了目前在所有商售的紫外LED中发现的光吸收性p‑GaN和金属镜p‑接触区。该隧道结还允许在有源区上方(在器件的p侧)使用第二n‑AlGaN电流扩散层，该电流扩散层类似于已经在有源区下方(在器件的n侧)存在的电流扩散层。因此，可以使用小面积和/或远程p接触区和n接触区，并且可以从器件的顶侧和底侧提取光。然后可以使用透明材料将这种全透明半导体器件封装成具有高亮度和高效率的全透明紫外LED或远紫外LED。
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公开(公告)号：CN102484142A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037329.5
申请日：2010-08-23
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种用于基于III氮化物的光学装置的外延结构，其包括在下伏层上的具有各向异性应变的作用层，其中所述下伏层中的晶格常数及应变由于存在错配位错而在至少一个方向上部分或完全驰豫，以便通过所述下伏层调制所述作用层中的所述各向异性应变。
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公开(公告)号：CN102460739A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080031130.1
申请日：2010-06-07
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 阿尔潘·查克拉伯蒂 , 林佑达 , 中村修二 , 史蒂文·P·登巴尔斯
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2022 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3216
Abstract: 本文揭示生长于斜切非极性或半极性衬底上的激光二极管，其与常规激光二极管结构相比具有较低阈值电流密度和较长的受激发射波长，其中对于所述激光二极管：(1)n型层是在氮载气中生长，(2)量子阱层和障壁层与其它装置层相比以较慢生长速率生长(此使得p型层能够在较高温度下生长)，(3)高Al含量电子阻挡层使得在有源区域上方的层能够在较高温度下生长，且(4)不对称AlGaN SPSLS允许高Al含量p-AlGaN层的生长。使用各种其它技术来改进所述p型层的电导率并将接触层的接触电阻降到最低。
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公开(公告)号：CN102099976A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128483.0
申请日：2009-06-01
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01L21/02631 , H01L33/32 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/2009 , H01S5/2054 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3214 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种制造(Al、Ga、In)N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第二温度下在第一温度沉积的层上沉积含铟激光器核心，在抑制激光器核心劣化的条件下进行所有随后的制造步骤，其中该条件是基本上低于第二温度的温度。
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