公开(公告)号：CN103931003A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280020669.6

申请日：2012-04-30

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： 赵宇吉 ,  S·田中 ,  黄嘉彦 ,  D·F·费泽尔 ,  J·S·司倍克 ,  S·P·登巴尔斯 ,  S·纳卡姆拉

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： 本发明涉及在氮化镓（GaN）衬底的半极化（20-2-1）面上制造的III族氮化物光电子器件，其特征在于高铟吸收和高极化率。

公开(公告)号：CN104662678A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380045358.X

申请日：2013-08-30

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： C-T·许 ,  C-Y·黄 ,  Y·赵 ,  S-C·黄 ,  D·F·费泽尔 ,  S·P·丹巴瑞斯 ,  S·纳卡姆拉 ,  J·S·斯派克

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

摘要： 在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻的方法，用于提高来自在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。

公开(公告)号：CN103597617A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280028479.9

申请日：2012-06-11

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： S·纳卡姆拉 ,  S·P·登巴尔斯 ,  D·F·费泽尔 ,  C-C·潘 ,  Y·赵 ,  S·田中

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04

CPC分类号： H01L33/0062 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

摘要： 本发明涉及高发射功率和低效率降低的半极性蓝色发光二极管(LED)。