-
公开(公告)号：CN103703558A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280034619.3
申请日：2012-07-13
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： C30B17/00 , C30B29/406
摘要： 通过用由一种或更多种III族和碱金属组成的薄湿润层或膜涂布种子的至少一个表面生产III族氮化物晶体的方法。
-
公开(公告)号：CN103189548A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052574.8
申请日：2011-10-28
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： C30B28/00
CPC分类号： C30B7/105 , C30B29/403 , Y10T428/24479
摘要： 在具有至少两个相互成锐角、直角或钝角（即大于0度且小于180度）的表面的起始晶种上III族氮化物晶体的氨热生长，从而所暴露的表面一起形成凹面。
-
公开(公告)号：CN102782966B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201180012048.9
申请日：2011-03-04
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L31/03044 , H01L31/036 , H01L31/0735 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3404 , H01S2304/04
摘要： 在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的（GaN的）半极性GaN晶体平面，其中‑15
-
公开(公告)号：CN102782966A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012048.9
申请日：2011-03-04
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L31/03044 , H01L31/036 , H01L31/0735 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3404 , H01S2304/04
摘要： 在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c-方向且与GaN的m-平面错切x度的（GaN的）半极性GaN晶体平面，其中-15
-
公开(公告)号：CN103190041A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180051842.4
申请日：2011-10-26
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01L29/045 , B82Y20/00 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： 制造半极性III-氮化物装置的基底的方法，包括图案化半极性III-氮化物基底或外延层的表面并在其上形成一个或多个台面，由此形成包括各台面的半极性III-氮化物基底或外延层的图案表面，各台面沿着穿透位错滑移的方向具有尺寸l，其中穿透位错滑移由基底或外延层的非图案表面上异质外延地和共格地沉积的III-氮化物层产生。
-
公开(公告)号：CN102823088A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017281.6
申请日：2011-04-05
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/342 , H01S2304/04
摘要： 半极性平面III-氮化物半导体基激光二极管或发光二极管，其包含用于发射光的半极性含铟多量子阱，具有含铝量子阱阻挡层，其中所述含铟多个量子阱和含铝阻挡层在半极性平面上以半极性取向生成。
-
-
-
公开(公告)号：CN104662678A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380045358.X
申请日：2013-08-30
申请人： 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要： 在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻的方法，用于提高来自在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。
-
公开(公告)号：CN104271815A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380019092.1
申请日：2013-04-10
申请人： 加利福尼亚大学董事会
IPC分类号： C30B7/00
CPC分类号： C30B7/10 , C30B7/105 , C30B9/10 , C30B29/403 , Y10T117/1096
摘要： 在反应器容器中生长晶体的方法和设备，其中反应器容器利用含碳纤维材料作为结构元件，以在反应器容器中包含作为固体、液体或气体的用于生长晶体的材料，使得反应器容器可耐受晶体生长所需的压力或温度。含碳纤维材料封装反应器容器的至少一个组件，其中应力从被封装组件传递至含碳纤维材料。含碳纤维材料可缠绕被封装组件一次或多次，其足以维持被封装组件外部和内部之间的期望压力差。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.028 秒)
