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发明公开
隧道结的p-型层的激活审中-实审

公开(公告)号：CN116195077A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180064445.4

申请日：2021-08-11

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： P·李 , H·李 , M·伊扎 , S·纳卡穆拉 , S·P·丹巴斯

IPC: H01L33/30

Abstract: 制造具有使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的外延隧道结的微尺寸III‑氮化物发光二极管(μLED)的方法，所述外延隧道结包括p+GaN层、InxAlyGazN插入层和n+GaN层，其中μLED具有低的正向电压。所述InxAlyGazN插入层具有比所述GaN层更小的能量带隙，这减小了所述隧道结的耗尽宽度并增加了隧穿概率。所述μLED用从25至10000μm2变化的尺寸制造。发现，所述InxAlyGazN插入层可将在20A/cm2下的正向电压减少至少0.6V。具有n‑型和p‑型InxAlyGazN插入层的隧道结μLED在20A/cm2下具有非常稳定的低的正向电压。在小于1600μm2的尺寸下，所述低的正向电压为小于3.2V。

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