公开(公告)号：CN116195077A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180064445.4

申请日：2021-08-11

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： P·李 ,  H·李 ,  M·伊扎 ,  S·纳卡穆拉 ,  S·P·丹巴斯

IPC: H01L33/30

Abstract: 制造具有使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的外延隧道结的微尺寸III‑氮化物发光二极管(μLED)的方法，所述外延隧道结包括p+GaN层、InxAlyGazN插入层和n+GaN层，其中μLED具有低的正向电压。所述InxAlyGazN插入层具有比所述GaN层更小的能量带隙，这减小了所述隧道结的耗尽宽度并增加了隧穿概率。所述μLED用从25至10000μm2变化的尺寸制造。发现，所述InxAlyGazN插入层可将在20A/cm2下的正向电压减少至少0.6V。具有n‑型和p‑型InxAlyGazN插入层的隧道结μLED在20A/cm2下具有非常稳定的低的正向电压。在小于1600μm2的尺寸下，所述低的正向电压为小于3.2V。

公开(公告)号：CN116075939A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180054832.X

申请日：2021-07-09

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： C·J·佐尔纳 ,  M·伊扎 ,  J·S·斯佩克 ,  S·P·丹巴尔斯 ,  中村修二

IPC: H01L27/15

Abstract: 公开了一种全透明紫外LED或远紫外LED，其中除了有源区之外的所有半导体层对于在有源区中发射的辐射是透明的。实现本发明的关键技术是透明隧道结，它取代了目前在所有商售的紫外LED中发现的光吸收性p‑GaN和金属镜p‑接触区。该隧道结还允许在有源区上方(在器件的p侧)使用第二n‑AlGaN电流扩散层，该电流扩散层类似于已经在有源区下方(在器件的n侧)存在的电流扩散层。因此，可以使用小面积和/或远程p接触区和n接触区，并且可以从器件的顶侧和底侧提取光。然后可以使用透明材料将这种全透明半导体器件封装成具有高亮度和高效率的全透明紫外LED或远紫外LED。