公开(公告)号：CN116195077A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180064445.4

申请日：2021-08-11

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： P·李 ,  H·李 ,  M·伊扎 ,  S·纳卡穆拉 ,  S·P·丹巴斯

IPC: H01L33/30

Abstract: 制造具有使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的外延隧道结的微尺寸III‑氮化物发光二极管(μLED)的方法，所述外延隧道结包括p+GaN层、InxAlyGazN插入层和n+GaN层，其中μLED具有低的正向电压。所述InxAlyGazN插入层具有比所述GaN层更小的能量带隙，这减小了所述隧道结的耗尽宽度并增加了隧穿概率。所述μLED用从25至10000μm2变化的尺寸制造。发现，所述InxAlyGazN插入层可将在20A/cm2下的正向电压减少至少0.6V。具有n‑型和p‑型InxAlyGazN插入层的隧道结μLED在20A/cm2下具有非常稳定的低的正向电压。在小于1600μm2的尺寸下，所述低的正向电压为小于3.2V。

公开(公告)号：CN118140369A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280070544.8

申请日：2022-10-24

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： S·甘德罗修拉 ,  S·纳卡穆拉 ,  S·P·登巴尔斯

IPC: H01S5/183 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311

Abstract: 使用外延横向过生长(ELO)制造垂直腔面发射激光器(VCSEL)的方法。ELO层包含使用生长限制掩模在衬底上生长的岛状III族氮化物半导体层，其中岛状III族氮化物半导体层包含发光谐振腔。用于谐振腔的孔制造在ELO层的翼部上，其中分布式布拉格反射器(DBR)镜形成在ELO层的翼部的底部和顶部区上。

公开(公告)号：CN117616161A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280049078.5

申请日：2022-07-13

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： S·甘德罗图拉 ,  S·纳卡穆拉 ,  S·P·登巴尔斯

IPC: C30B29/40 ,  H01L25/00 ,  C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  H01L33/44 ,  H01L21/02 ,  C30B25/04

Abstract: 在高品质外延晶体层上制造小尺寸发光二极管(LED)的方法。使用生长限制掩模在基材上生长III族氮化物外延横向过生长(ELO)层。在III族氮化物ELO层的翼上生长III族氮化物器件层，以形成岛状III族氮化物半导体层。III族氮化物ELO层的翼具有比基材小至少一个数量级的缺陷密度，导致在其上制造的器件的优异特性。由岛状III族氮化物半导体层蚀刻发光台面，其中每个发光台面对应于一个器件；并且从所述岛状III族氮化物半导体层蚀刻器件单元图案，其中所述器件单元图案包含一个或多个发光台面。然后将包括岛状III族氮化物半导体层的器件单元图案转移至显示面板或载体。

公开(公告)号：CN118160068A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072900.X

申请日：2022-10-28

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： S·甘德罗修拉 ,  S·纳卡穆拉 ,  S·P·登巴尔斯

IPC: H01L21/027

Abstract: 一种当包括有源层时不采用反应离子蚀刻或湿法蚀刻的情况下制造外延光控制特征的方法。外延光控制特征包含在发光器件(如发光二极管)的外延层上集成的光提取或导向结构。该光提取或导向结构使用外延横向过度生长(ELO)技术在外延层上制造。外延光控制特征可以具有许多不同的形状，并且可以用标准加工技术制造，使得它们以类似于标准加工技术的成本高度可制造。